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等離子體處理背界面制備高效 Cu In(S,Se) 2 薄膜太陽能電池

閱讀:67發(fā)布時間:2025-2-21

黃銅礦銅銦鎵硒 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGSe) 因其具有高吸收系數(shù)、可調控的帶隙和良好 的穩(wěn)定性等特點,被認為是一種理想的薄膜太陽能電池吸收層材料。溶液法制備的 CIGSe 太陽能電池已達到 18% 的效率,但與真空法制備的太陽能電池相比,效率仍然 較低。鉬背接觸在 CIGSe 太陽能電池中起著重要的作用,是限制溶液基 CIGSe 薄膜 太陽能電池效率的重要因素之一。通過對 Mo 基底進行等離子體處理,采用 N, N- 二甲基甲酰胺( DMF )分子前驅體溶液在該基底上制備 CISSe 薄膜太陽能電池, 研究了等離子體處理對背界面性質和器件性能的影響。結果表明等離子體處理改善了 前驅體溶液對基底的浸潤性(接觸角從 16.7 °降低到 14.2 °),增加了吸收層與基底 的粘合性;提高了 Mo 基底的功函數(shù),極大地改善了電荷的傳輸,減少了背界面處的 電荷復合。采用等離子體處理 CISSe 薄膜太陽能電池的開路電壓、短路電流密度和填 充因子分別從 500 m V 提高到 519 m V , 38 m A/cm 2 提高到 40 m A/cm 2 , 67.21% 提高到 69.87% ,從而使 CISSe 太陽能電池的效率達到 14.5% (無減反層)。


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