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氧等離子體表面處理提高ITO薄膜表面潤濕性能

閱讀:208發(fā)布時間:2025-2-21

ITO 薄膜作為一種重摻雜的 n 型半導體材料,具有較高的可見光平均透過率 (>80%) , 高載流子濃度 (10 20 ~10 21 cm -3 ) 以及低電阻率 (10 -4 ? ? cm) ,其禁帶寬度在 3.5-4.3e V 之間, 同時具有光電性質(zhì)可調(diào)、化學性質(zhì)穩(wěn)定及易刻蝕等優(yōu)點,因此在探測 、傳感 、平 面顯示  、太陽能電池  等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于ITO屬于非化學計量學化合物,薄膜的淀積條件、清洗方法及表面處理工藝都對ITO薄膜表面的化學組成及表面性能產(chǎn)生深刻影響。特別是采用表面處理可僅改變ITO薄膜的表面性能,而不改變ITO薄膜主體的光電性能,對改善OLED的光電性能起著非常重要的作用。OLED制作中經(jīng)常用于ITO薄膜表面處理的方法有:化學方法酸或堿處理)和物理方法(氧等離子體處理輝光放電及臭氧環(huán)境紫外線處理等),其中氧等離子體處理是的方法。


采用真空氧等離子處理不僅可以清潔ITO表面,增大其功函數(shù),而且可以減小由ITO向OLED的空穴傳輸層注入空穴所需克服的勢壘;另一方面,該處理還對ITO薄膜表面的潤濕性能有所改善,提高有機材料在ITO薄膜上的成膜性能。


氧等離子體表面處理對ITO薄膜潤濕性的影響


有機物在ITO膜上的潤濕性越好,有機物溶液或液滴在其表面上的鋪展也就更均勻,更易獲得良好的薄膜。評價薄膜表面潤濕性的主要參數(shù)是接觸角0,由文獻知道小接觸角與高表面能有關(guān),而表面吸附力與表面能有關(guān),而且可用表面能的增加來解釋吸附力的增加,因此可通過薄膜表面吸附力來間接獲得薄膜潤濕性能的相關(guān)信息。

氧等離子體表面處理對ITO薄膜潤濕性的影響

下圖給出了氧等離子體處理前后ITO薄膜表面水滴角的比較典型的變化

氧等離子體表面處理對ITO薄膜潤濕性的影響

可以發(fā)現(xiàn)經(jīng)氧等離子體處理之后ITO薄膜的接觸角變小

 

氧等離子體處理使ITO薄膜表面能增加的原因,可主要歸因于氧等離子體處理可去除薄膜表面的有機污染物。實驗發(fā)現(xiàn)氧等離子體處理能夠減少ITO薄膜的峰狀凸起提高薄膜的平整度,這將改善OLED的穩(wěn)定性和壽命;而且經(jīng)過處理之后,ITO薄膜的表面吸附力增大將近一倍,使ITO薄膜表面的潤濕性能和吸附性能得到改善,這將促進有機物在ITO薄膜表面上的成膜。



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