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  探測(cè)器系列

HgCdTe（MCT）多通道檢測(cè)模塊

1-16µm HgCdTe紅外探測(cè)器

1-2.6μm光電二極管

2-5.5μm InAs/InAsSb紅外探測(cè)器

Affordable InAsSb模組

前置放大模塊

TEC溫控電源

中紅外平衡探測(cè)器

全部產(chǎn)品列表

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深圳市唯銳科技有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：其他

商鋪產(chǎn)品：65條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：銷售

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探測(cè)器及模塊-Configurable line

詳細(xì)摘要： VIGO公司研發(fā)的碲鎘汞（MCT）探測(cè)器，覆蓋1-16μm光譜范圍，非制冷，2TE制冷，3TE制冷，4TE制冷可選，產(chǎn)品具有響應(yīng)速度快，高靈敏度性能，長(zhǎng)期穩(wěn)定性...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-04-13 在線留言
SM-I-12

詳細(xì)摘要： 2–14µm探測(cè)單位，10 Hz–1 MHz帶寬的HgCdTe緊湊型紅外探測(cè)模塊，帶光學(xué)浸入式光電導(dǎo)探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-24 在線留言
microM-10.6

詳細(xì)摘要： 2–12µm探測(cè)范圍，DC–10 MHz帶寬，HgCdTe微型紅外探測(cè)模塊，帶光伏多結(jié)探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-24 在線留言
PVI-5-1×1-TO39-NW-36

詳細(xì)摘要： 2.4 – 5.5 µm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷（室溫），光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-24 在線留言
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36

詳細(xì)摘要： 1–14µm，HgCdTe三級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒(méi)光導(dǎo)探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90

詳細(xì)摘要： 2–12µm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷（室溫），光伏多結(jié)探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36

詳細(xì)摘要： 3.0–6.7µm，HgCdTe二級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
UHSM-I-10.6

詳細(xì)摘要： 3–12µm探測(cè)范圍，＞700mhz帶寬的HgCdTe超高速紅外探測(cè)模塊，光學(xué)浸沒(méi)式光伏探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
UHSM-10.6

詳細(xì)摘要： 3–12µm探測(cè)范圍，＞1GHz帶寬的HgCdTe超高速紅外探測(cè)模塊，光伏探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
LabM-I-10.6

詳細(xì)摘要： 2–12µm探測(cè)范圍，DC-100mhz帶寬的HgCdTe可編程實(shí)驗(yàn)室紅外探測(cè)模塊，增益可調(diào)，帶光學(xué)浸沒(méi)式光電探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
LabM-I-6-01

詳細(xì)摘要： 2.5–7.0µm探測(cè)范圍，3mhz帶寬以上的HgCdTe可編程實(shí)驗(yàn)室紅外探測(cè)模塊，增益可調(diào)，帶光學(xué)浸沒(méi)式光電探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
LabM-I-4

詳細(xì)摘要： 2.4–4.3µm探測(cè)范圍，5mhz帶寬以上的HgCdTe可編程實(shí)驗(yàn)室紅外探測(cè)模塊，增益可調(diào)，帶光學(xué)浸沒(méi)式光電探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
UM-I-10.6

詳細(xì)摘要： 2–12µm探測(cè)范圍，DC–100mhz帶寬HgCdTe通用紅外探測(cè)模塊，帶光學(xué)浸沒(méi)式長(zhǎng)波光伏多結(jié)紅外探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
LabM-I-5

詳細(xì)摘要： 2.9–5.5µm探測(cè)范圍，15mhz帶寬以上的HgCdTe可編程實(shí)驗(yàn)室紅外探測(cè)模塊，增益可調(diào)，帶光學(xué)浸沒(méi)式光電探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
PVI-4-1×1-TO39-NW-36

詳細(xì)摘要： 2.4–4.5µm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷（室溫），光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-23 在線留言
HgCdTe（MCT）多通道檢測(cè)模塊

詳細(xì)摘要： VIGO Photonics 提供針對(duì)不同波長(zhǎng)的四象限和多元線陣探測(cè)器模塊，基于HgCdTe材料，集成了跨阻抗、直流耦合四通道前置放大器、TE制冷和風(fēng)扇。四象限...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2025-03-06 在線留言
nanoplus InGaAsSb 光電二極管

詳細(xì)摘要： nanoplus 推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長(zhǎng)銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-10-19 在線留言
1-16um HgCdTe紅外探測(cè)器

詳細(xì)摘要： VIGO公司研發(fā)的碲鎘汞（MCT）探測(cè)器，覆蓋1-16μm光譜范圍，非制冷，2TE制冷，3TE制冷，4TE制冷可選，產(chǎn)品具有響應(yīng)速度快，高靈敏度性能，長(zhǎng)期穩(wěn)定性...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-07-22 在線留言
2-5.5μm InAs/InAsSb紅外探測(cè)器

詳細(xì)摘要： VIGO公司研發(fā)的InAs/InAsSb探測(cè)器，覆蓋2-5.5μm光譜范圍，非制冷和2TE制冷可選，產(chǎn)品能在更高溫的環(huán)境下保持優(yōu)異檢測(cè)性能，不含汞或鉛，符合Ro...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-07-22 在線留言
Affordable InAsSb模組

詳細(xì)摘要： VIGO公司研發(fā)的“多合一"非冷卻紅外檢測(cè)模組，InAsSb檢測(cè)器直接與低噪聲前置放大電路集成在一起。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-07-22 在線留言