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技術文章

三離子束技術介紹

閱讀:6發(fā)布時間:2026-5-30

掃描電鏡,如果要看到樣品內部結構,往往需要樣品制備,然而通過傳統(tǒng)的機械切割研磨方式往往造成應力損傷層,在SEM下看到的幾乎全是假象,而無應力切割技術可有效制備樣品獲得真實內部結構。徠卡提供的三離子束切割及拋光技術,幾乎適用于各類樣品,獲得樣品真實內部結構。并且操作極其簡單。

主講人:童艷麗

科普:離子束技術,離子束以α角度傾斜轟擊到樣品表面,通過撞擊作用,將樣品的原子以相反的角度撞擊出去,從而達到拋光或者減薄的效果。

三離子束技術

EM TIC 3X搭載了三離子束制樣技術,與傳統(tǒng)的單個離子束制樣不同,徠卡通過將三把離子槍轟擊同一個方向以達到制樣效果。

三離子束優(yōu)勢:

  • 離子束轟擊樣品時產(chǎn)生熱效應,通過熱傳導與基底接觸,由此使得樣品無需運動

  • 在離子束轟擊時能清晰觀看到樣品

  • 幾乎無再沉積效應

  • 幾乎無假象

EM TIC 3X不僅在離子束的數(shù)量上與眾不同,運用的離子也與聚焦離子束技術的不同。徠卡離子束運用的是惰性氣體的氬離子,通過離子槍將氬氣離子化之后,制造出離子束,離子束在對樣品進行加工。

氬離子束切割技術優(yōu)勢

  • 與FIB(聚焦離子束)技術相比可獲得非常大的切割區(qū)域

  • 幾乎各類材料都可獲得清潔的截面(無Ga離子注入)

  • 獲得的截面,適宜掃描電子顯微鏡(SEM)中元素能譜分析(EDS),波譜分析(WDS),俄歇分析(Auger)及分析晶體取向的背射散電子衍射分析(EBSD)

  • 對前期制樣要求很低

1:SiC 研磨紙的橫切面 l 2:膠合板的橫切面 l 3:-120°C 條件下制備的同軸聚合物纖維 (溶于水) l 4:通過 Leica EM TIC 3X (配旋轉載物臺) 處理展現(xiàn)的油頁巖 (納米孔),總樣品直徑為 25 mm

在使用 Leica EM TIC 3X 之前,通常需要進行機械準備工作,以便盡可能接近感興趣區(qū)域。Leica EM TXP 是一種獨特的標靶面拋光系統(tǒng),開發(fā)用于樣品的切割和拋光,為 Leica EM TIC 3X 等儀器進行后續(xù)技術處理做好充分準備。

Leica EM TXP 經(jīng)專業(yè)設計,利用鋸切、銑削、研磨和拋光技術對樣品進行預制。 對于需要準確定位以及難以制備的挑戰(zhàn)性樣品,它能提供優(yōu)異的結果,令處理變得輕松簡單。


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