沈陽(yáng)華儀時(shí)代科技有限公司
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閱讀：6發(fā)布時(shí)間：2026-5-30
徠卡精研一體機(jī)TXP可以對(duì)樣品進(jìn)行準(zhǔn)確定位研磨，高效率的處理難以制備的樣品。徠卡三離子束切割拋光儀TIC3X可對(duì)樣品進(jìn)行無(wú)應(yīng)力損傷和無(wú)磨料污染的氬離子束切割拋光，確保樣品適合高倍率掃描電鏡圖像觀察，或者EDS和EBSD分析。徠卡超薄切片機(jī)UC7是利用鉆石刀對(duì)樣品進(jìn)行精細(xì)準(zhǔn)確切割，非常適合于銅、鋁和高分子膜層的截面制備。
TXP是徠卡研發(fā)的集切割、研磨、拋光、銑削和沖鉆五位一體的多功能精研一體機(jī)。
以TXP制備電子樣品的應(yīng)用舉例：
芯片缺陷點(diǎn)剖析
樣品描述
樣品為厚度400微米長(zhǎng)度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。（缺陷點(diǎn)的記號(hào)筆標(biāo)記位置）
使用金相顯微鏡放大200倍后發(fā)現(xiàn)右起第三根指針有一小截與第四根指針相連，為缺陷位置，需要從中間刨開。
（紅圈為目標(biāo)位置，大約 8μm）
步
用金剛石鋸片切斷樣品，距離目標(biāo)位置800μm左右。（TXP精研一體機(jī)省去包埋）
（加工角度，樣品傾斜30度觀察）
第二步
轉(zhuǎn)速1500轉(zhuǎn)/分鐘，400#碳化研磨砂紙，研磨量600μm。研磨過(guò)程芯片邊緣不破損，平整無(wú)倒角！
（芯片正面觀察角度，400#碳化硅砂紙研磨之后）
第三步
轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，9微米金剛石砂紙研磨，研磨量120μm，研磨之后樣品劃痕變細(xì)。
第四步
轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，2微米金剛石砂紙研磨，研磨量為60μm，研磨之后樣品劃痕變細(xì)！
第五步
轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，0.5μm金剛石砂紙研磨，研磨量為20μm，研磨之后樣品面到達(dá)觀察分析要求！
芯片制樣結(jié)果
（芯片表面觀察角度）
（芯片截面觀察角度）
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