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晶體電光效應實驗儀 技術指標

閱讀:12發(fā)布時間:2026-5-15

晶體的電光效應物理光學 晶體電光效應實驗儀 型號:HAD-F-JTDG1110

實驗內容及相關科目:

  觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形,比較不同電壓條件下的差異,理解單軸晶體與雙軸晶體的區(qū)別。

  觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài),理解泡克耳斯效應的作用機理。

  測量半波電壓,確定Δn與E的線性關系,繪出光的調制曲線。

  用正弦電信號對晶體進行調制,實現電信號的光傳輸,理解工作點對調制、傳輸過程的影響。

  外加音頻信號,實驗音頻信號的光傳輸以重現,了解光通訊中信號外調制的原理和方法。

  儀器特點:

  采用半導體激光器作為光源(650nm4mW)。

  晶體的通光面積為5×5mm2

  大驅動電壓Vmax1600V使現象更加清晰、完整。

  可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。

  設備成套性:

  光學實驗導軌、半導體激光器、擴束鏡、起偏器、檢偏器、1/4波片、LN晶體附件(含三維調整架)、激光功率指示計、音頻信號源、示波器(自備)等。

  技術指標

  光學實驗導軌800mm。

  實驗主機大驅動電壓Vmax1600V

  半導體激光器650nm, 4mW。

  LN晶體附件,三維可調,通光面積:5*5mm2。

  二維可調光電二極管探頭:調整范圍:±2.5mm.

  二維可調擴束鏡:25倍,調制范圍:±2.5mm.

  激光功率指示計:三位半數字表頭,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可調檔。小分辨率0.1u W。


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