SDD探測(cè)器在X射線(xiàn)熒光光譜儀中的應(yīng)用是什么？
硅漂移探測(cè)器（Silicon Drift Detector，簡(jiǎn)稱(chēng)SDD）是半導(dǎo)體探測(cè)器的一種，用來(lái)探測(cè)X射線(xiàn)，廣泛應(yīng)用在能量色散型X射線(xiàn)熒光光譜儀（XRF）或者X射線(xiàn)能譜儀（EDS）上。 XRF合金分析儀使用了大面積的SDD探測(cè)器之后，分析速度快速的提高2倍，使得分析數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性更強(qiáng)。
SDD探測(cè)器的特點(diǎn)有：
1. 高計(jì)數(shù)率。由于收集陽(yáng)極的電容極低，相比通常的硅PIN器件，SDD具有更短的上升時(shí)間，因而特別適合在高計(jì)數(shù)率的情況下工作。
2. 高能量分辨率。SDD的陽(yáng)極面積小于通常硅PIN器件，由于電容的減小，在收集等量電荷的情況下具有更高的電壓，提高了其能量分辨率。
3. 可在常溫下工作。SDD的電容和漏電流要比一般探測(cè)器小兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上，通常把場(chǎng)效應(yīng)管（FET）和Peltier效應(yīng)器件都整合到一起，這樣儀器在常溫下就能滿(mǎn)足SDD的制冷需求，特別適用于便攜式設(shè)備的現(xiàn)場(chǎng)使用。
根據(jù)國(guó)家地質(zhì)實(shí)驗(yàn)測(cè)試中心的報(bào)告，SDD探測(cè)器從1962年以Si探測(cè)器問(wèn)世以來(lái)，Si-PIN、高純及四葉花瓣型Ge探測(cè)器、Si漂移、SDD等不同性能的探測(cè)器， SDD探測(cè)器在計(jì)算數(shù)與制造工藝的穩(wěn)定性方面取得突破，從而替代復(fù)雜的波長(zhǎng)色散X射線(xiàn)光譜儀的Si-pIN探測(cè)器。
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