壓電響應力顯微術(shù)（PFM） 參考價：面議
利用壓電響應力模式，我們能夠通過針尖對樣品施加高偏壓值（上至220 V，在MFP-3D Infinity上，上至150 V），以便對壓電材料（包括鐵電體和多鐵性...
導電原子力顯微鏡（ORCA） 參考價：面議
Cypher原子力顯微鏡的 ORCA 模式可用于導電原子力顯微鏡成像和I-V測量。其標準模塊能夠測量約1 pA至20 nA的電流。此外還提供其他電流范圍，以及雙...
掃描微波阻抗顯微鏡（sMIM） 參考價：面議
利用sMIM，可以對金屬、半導體和絕緣材料進行納米級的介電常數(shù)和導電性成像。該技術(shù)適用于所有MFP-3D 原子力顯微鏡（除了Origin型號以外）。詢價 增加到...
掃描隧道顯微術(shù)（STM） 參考價：面議
利用MFP-3D原子力顯微鏡對導電樣品進行高分辨率成像時，掃描隧道顯微術(shù)非常有用。詢價 增加到詢價列表 在詢價列表中查看此產(chǎn)品
納米級依時性介電擊穿（NanoTDDB） 參考價：面議
利用NanoTDDB，能夠?qū)崿F(xiàn)介質(zhì)擊穿表征的納米級精度。操作時可以施加恒定的電壓，或逐漸增加的偏壓（達220 V），同時利用一個導電的原子力顯微鏡探針來監(jiān)測電流...
適用于MFP-3D原子力顯微鏡的電化學腔室 參考價：面議
利用電化學腔室（EC腔室），可以對金屬和其他材料的沉積、氧化、腐蝕和傳質(zhì)進行原位研究。這個腔室可以在密封的環(huán)境下操作，并且能夠加熱至60C（適用于所有MFP-3...
10