東譜科技（廣州）有限責(zé)任公司
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更新時(shí)間：2025-10-22 15:06:47瀏覽次數(shù)：623次
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| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 加工定制 | 是 |
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飛行時(shí)間法遷移率測量儀FlyTOF是東譜科技HiTran瞬態(tài)綜合光電特性測量平臺(tái)中的重要成員。該系統(tǒng)利用飛行時(shí)間法（Time-Of-Flight，TOF）測量半導(dǎo)體材料的遷移率以及相關(guān)的光電特性，廣泛適用于各類半導(dǎo)體材料，如硅基半導(dǎo)體、第二代半導(dǎo)體、第三代寬帶隙半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦半導(dǎo)體、量子點(diǎn)半導(dǎo)體、二維材料半導(dǎo)體、金屬-有機(jī)框架（MOF）、共價(jià)有機(jī)框架等。詳情請(qǐng)到“東譜科技“網(wǎng)站。
產(chǎn)品關(guān)鍵詞：載流子遷移率測量系統(tǒng)/測試、電子遷移率測試、空穴遷移率測試、電子遷移率檢測、半導(dǎo)體測試儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀、渡越時(shí)間測量、飛行時(shí)間測量儀、少數(shù)載流子壽命測試儀、載流子壽命測試儀器、遷移率壽命積測量、少數(shù)載流子測試、水平載流子測試儀、橫向載流子測試、載流子濃度測量儀、少子壽命測試儀
Key words: Carrier mobility Measurement system/Test, electron mobility test, Hole mobility Test, electron mobility test, semiconductor tester, semiconductor parameter analyzer, semiconductor device parameter tester, transit time measurement, time of Flight measurement, minority carrier life tester, carrier life testing instrument, Mobility lifetime product measurement, minority carrier test, Level Carrier tester, transverse carrier tester, carrier concentration tester, minority lifetime tester
產(chǎn)品簡介
2012年為行業(yè)提供搭建式系統(tǒng)，并于2019年全新推出的業(yè)內(nèi)自動(dòng)化、集成化的飛行時(shí)間法遷移率測量商業(yè)化設(shè)備。
飛行時(shí)間法遷移率測量儀 FlyTOF是東譜科技HiTran瞬態(tài)綜合光電特性測量平臺(tái)中的重要成員。該系統(tǒng)利用飛行時(shí)間法（time-of-flight，TOF）測量半導(dǎo)體材料的遷移率以及相關(guān)的光電特性，廣泛適用于各類半導(dǎo)體材料，如硅基半導(dǎo)體、第二代半導(dǎo)體、第三代寬帶隙半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦半導(dǎo)體、量子點(diǎn)半導(dǎo)體、二維材料半導(dǎo)體、金屬-有機(jī)框架（MOF）、共價(jià)有機(jī)框架（COF）等。FlyTOF基于我司的MagicBox主機(jī)研制而成，配備便捷的上位機(jī)控制和數(shù)據(jù)測量軟件，可助力客戶進(jìn)行快速、準(zhǔn)確的測量。飛行時(shí)間法遷移率測量儀 FlyTOF是東譜科技源頭研發(fā)產(chǎn)品，是業(yè)內(nèi)自動(dòng)化、集成化的飛行時(shí)間法遷移率測試商業(yè)化設(shè)備。
遷移特性是半導(dǎo)體基礎(chǔ)的性質(zhì)之一，是半導(dǎo)體在電子學(xué)和光電子學(xué)等領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體的遷移率定義為單位電場下載流子的平均漂移速度。TOF遷移率測試方法直接由遷移率的定義發(fā)展而來。 相比于一些間接的遷移率測試方法，如空間電荷限制電流（SCLC）法等，TOF的方法被認(rèn)為是接近“真實(shí)"遷移率的一種測量方法。通過TOF瞬態(tài)光電流信號(hào)的分析，可以得到電子遷移率、空穴遷移率等參數(shù)；用戶還可以利用這些數(shù)據(jù)，結(jié)合材料的物理模型進(jìn)行分析，得到雜質(zhì)濃度、缺陷、能帶混亂度、電荷跳躍距離等參數(shù)。
作為TOF遷移率測試方法商業(yè)化應(yīng)用的先行，東譜科技已攜手客戶廣泛探索了FlyTOF在有機(jī)半導(dǎo)體、硅基半導(dǎo)體、鈣鈦礦半導(dǎo)體、二維材料、共價(jià)有機(jī)框架等領(lǐng)域的應(yīng)用。東譜期待與您共同開拓FlyTOF更多的應(yīng)用領(lǐng)域。
產(chǎn)品特點(diǎn)
□ 載流子遷移率測量值覆蓋10-9~106 cm2/(V.s)；
□ 業(yè)內(nèi)高度集成化、自動(dòng)化TOF商業(yè)設(shè)備；
□ 電子/空穴遷移率；
□ 水平/表面電子/空穴遷移率；
□ 載流子二維成像Mapping；
□ 基于TOF瞬態(tài)光電流；
□ 專業(yè)的信號(hào)調(diào)教，電磁兼容噪聲??；
□ 行業(yè)TOF測試功能；
□ 軟件自動(dòng)控制，測試快速便捷；
□ 快速換樣裝置，惰性氣體氛圍測試；
□ 可實(shí)現(xiàn)寬溫度范圍的變溫測試（選配）；
□ 可通過可視化系統(tǒng)看到光斑照射情況；
□ 可靈活耦合各種類型的激發(fā)光源。
產(chǎn)品功能
□ 飛行時(shí)間法瞬態(tài)光電流測量
□ 半導(dǎo)體材料電子遷移率測量
□ 半導(dǎo)體材料空穴遷移率測量
□ 載流子濃度測量
□ 載流子壽命測量
□ 可選變溫測量
□ 可選Lateral-TOF測試功能及附件
□ 可選配TOF二維掃描（mapping）功能及附件
功能說明：
標(biāo)配TOF：縱向TOF；
Mapping功能：可以對(duì)TOF的信號(hào)進(jìn)行二維平面的成像；
Lateral-TOF功能：可以以水平的方式對(duì)樣品的遷移率進(jìn)行測試。
產(chǎn)品應(yīng)用
□ 有機(jī)半導(dǎo)體 | □ 量子點(diǎn)半導(dǎo)體 | □ 元素半導(dǎo)體（Si、Ge等） | □ 金屬-有機(jī)框架（MOF） | □ 二維材料 |
□ 寬帶隙第三代半導(dǎo)體 | □ 鈣鈦礦材料 | □ 化合物半導(dǎo)體（InGaAs等） | □ 共價(jià)有機(jī)框（COF） | □ 其它半導(dǎo)體材料 |
規(guī)格型號(hào)
規(guī)格配置 | 高性能版（E300） | 標(biāo)配版（S300） | 經(jīng)濟(jì)版（W300） |
TOF標(biāo)配功能 | √ | √ | √ |
Mapping模塊 | 可選 | 可選 | × |
Lateral-TOF | 可選 | 可選 | × |
* Lateral-TOF： □ 包含顯微系統(tǒng)、探針系統(tǒng)、針對(duì)Lateral-TOF的光路及電子部件系統(tǒng)等，具有非標(biāo)性質(zhì)，詳情請(qǐng)與銷售專員聯(lián)系。 * 可選配置/部件： □ 337nm 納秒氣體激光器； □ 532nm納秒調(diào)Q固體激光器； □ 355 nm納秒調(diào)Q固體激光器； □ Nd:YAG激光器 1064 nm、532 nm、355 nm、266 nm； □ 可調(diào)諧 OPO 激光器，波長范圍：210-2400 nm。 | |||
FlyTOF拓展介紹
1、定義
飛行時(shí)間法（Time of Flight，TOF）是一種用于測量半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的技術(shù)。該方法基于測量光脈沖在樣品中傳播的時(shí)間來計(jì)算載流子的遷移率。具體來說，通過激發(fā)樣品產(chǎn)生瞬態(tài)光電流，并測量這些電流信號(hào)的渡越時(shí)間，可以得到電子和空穴的遷移率。
飛行時(shí)間法廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料的遷移率測量，包括有機(jī)半導(dǎo)體、金屬-有機(jī)框架、共價(jià)有機(jī)框架、鈣鈦礦材料等。這種技術(shù)的優(yōu)勢在于其自動(dòng)化和集成化程度高，能夠提供的遷移率數(shù)據(jù)，從而幫助研究者更好地理解材料的電導(dǎo)性能。
測量過程
載流子注入：通過脈沖光源照射半導(dǎo)體樣品的一端，使樣品內(nèi)部產(chǎn)生載流子脈沖。這些載流子可以是光生載流子，即光子能量大于半導(dǎo)體禁帶寬度時(shí)，價(jià)帶電子躍遷到導(dǎo)帶產(chǎn)生電子 - 空穴對(duì)。
電場施加：在樣品兩端施加一個(gè)恒定的電場E，電場方向使得載流子向另一端電極運(yùn)動(dòng)。例如，對(duì)于n型半導(dǎo)體，電子為多數(shù)載流子，電場方向促使電子向收集電極移動(dòng)。
時(shí)間測量：當(dāng)載流子到達(dá)收集電極時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電信號(hào)，利用高精度計(jì)時(shí)器測量從載流子注入到接收電信號(hào)的時(shí)間。
遷移率計(jì)算：已知樣品的長度，根據(jù)遷移率公式（其中為遷移率）就可以計(jì)算出載流子的遷移率。例如，如果樣品長度，電場強(qiáng)度，測量得到的時(shí)間，則遷移率。在實(shí)驗(yàn)中，通常使用激光器產(chǎn)生高強(qiáng)度激光束，將其聚焦到樣品上，然后通過調(diào)節(jié)激光脈沖寬度和頻率來控制樣品中的載流子遷移率。當(dāng)樣品中的載流子遷移率發(fā)生變化時(shí)，激光束在樣品中的傳播時(shí)間也會(huì)相應(yīng)變化，從而可以通過測量激光束的傳播時(shí)間來計(jì)算出樣品中載流子的遷移率。
此外，飛行時(shí)間法還被用于研究不同溫度下聚合物薄膜的載流子遷移率。例如，在研究共軛聚合物時(shí)，通過變溫飛行時(shí)間檢測系統(tǒng)，可以在不同溫度條件下準(zhǔn)確測量載流子遷移率，為理解聚合物的電荷遷移行為提供了重要數(shù)據(jù)。
總之，飛行時(shí)間法是一種高效且精確的測量半導(dǎo)體材料載流子遷移率的方法，適用于多種材料體系，并且在材料科學(xué)和光電技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2、飛行時(shí)間法在有機(jī)半導(dǎo)體、光伏等的應(yīng)用
該系統(tǒng)憑借廣泛的適配性與精準(zhǔn)的測試能力，已在多類半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用場景中發(fā)揮重要作用，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括：
基礎(chǔ)半導(dǎo)體材料：元素半導(dǎo)體（如 Si、Ge 等）、化合物半導(dǎo)體（如 InGaAs 等）、寬帶隙第三代半導(dǎo)體。
新型半導(dǎo)體材料：有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦半導(dǎo)體、量子點(diǎn)半導(dǎo)體、二維材料半導(dǎo)體。
功能框架材料：金屬 - 有機(jī)框架（MOF）、共價(jià)有機(jī)框架（COF）。
器件關(guān)聯(lián)應(yīng)用：EL 元件（電致發(fā)光元件）、太陽能電池用薄膜材料的遷移率評(píng)估，為器件性能優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
其他半導(dǎo)體材料：可根據(jù)用戶需求適配各類新型半導(dǎo)體材料，助力前沿半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的探索。
3、測試樣例
4、其他電子、空穴遷移率測試方法
（1）、霍爾效應(yīng)法（Hall Effect Method）
o 原理：當(dāng)電流垂直于外磁場通過半導(dǎo)體時(shí)，在半導(dǎo)體的垂直于磁場和電流方向的兩個(gè)端面之間會(huì)產(chǎn)生電勢差，這個(gè)電勢差就是霍爾電壓。通過測量霍爾電壓、電流以及磁場強(qiáng)度等參數(shù)，可以計(jì)算出半導(dǎo)體材料中的載流子濃度、遷移率等信息。
o 適用材料：適用于各種半導(dǎo)體材料，特別是對(duì)于具有一定導(dǎo)電性的材料效果較好。
o 優(yōu)點(diǎn)：可以同時(shí)測量載流子的濃度和遷移率，是一種比較全面的測試方法；測量結(jié)果相對(duì)準(zhǔn)確，受材料的雜質(zhì)和缺陷等因素的影響較小。
o 缺點(diǎn)：需要外加磁場，實(shí)驗(yàn)設(shè)備相對(duì)復(fù)雜；對(duì)于一些低遷移率的材料，霍爾電壓可能非常小，測量難度較大。
（2）、場效應(yīng)晶體管法（Field-Effect Transistor Method）
o 原理：利用場效應(yīng)晶體管的特性來測量載流子的遷移率。在場效應(yīng)晶體管中，通過改變柵極電壓可以控制溝道中的載流子濃度，從而影響漏極電流。根據(jù)漏極電流與柵極電壓的關(guān)系，可以計(jì)算出載流子的遷移率。
o 適用材料：常用于半導(dǎo)體薄膜材料的遷移率測試，特別是在集成電路制造和半導(dǎo)體器件研究中應(yīng)用廣泛。
o 優(yōu)點(diǎn)：可以在室溫下進(jìn)行測試，對(duì)材料的損傷較??；可以測量單個(gè)器件的性能，對(duì)于研究材料的局部特性非常有用。
o 缺點(diǎn)：需要制備場效應(yīng)晶體管器件，測試過程相對(duì)復(fù)雜；器件的制備工藝和質(zhì)量會(huì)對(duì)測試結(jié)果產(chǎn)生影響。
（3）、脈沖功率法（Pulse Power Method）
o 原理：通過不同脈寬的脈沖電壓施加在含有被測液體或固體材料的小電極間隙，觀察臨界擊穿電壓，根據(jù)施加電壓脈寬 - 臨界擊穿電壓曲線，得到電子渡越時(shí)間，由此計(jì)算電子遷移率。
o 適用材料：適用于一些絕緣液體、固體半導(dǎo)體材料等2。
o 優(yōu)點(diǎn)：可以測量材料在高電場下的電子遷移率，對(duì)于研究材料的高壓特性有一定的幫助。
o 缺點(diǎn)：對(duì)脈寬要求嚴(yán)格，要求脈沖輸出低至亞微秒級(jí)，脈沖功率裝置復(fù)雜昂貴；對(duì)于小間隙（如小于 0.1 毫米）下的擊穿現(xiàn)象難以觀測2。
（4）、激發(fā)電流法（Excited Current Method）
o 原理：利用光、射線、微波等方式激發(fā)被測材料，產(chǎn)生過剩電子，通過測量過剩電子傳輸產(chǎn)生的瞬時(shí)電流信號(hào)得到電子渡越時(shí)間，進(jìn)而計(jì)算電子遷移率。
o 適用材料：適用于各種半導(dǎo)體材料，尤其是對(duì)光敏感的材料。
o 優(yōu)點(diǎn)：可以研究材料在不同激發(fā)條件下的電子遷移率，對(duì)于理解材料的光電特性有幫助。
o 缺點(diǎn)：對(duì)材料的純凈程度要求高，微量的雜質(zhì)即可影響電流信號(hào)，甚至導(dǎo)致表征電子遷移的電流信號(hào)消失。
（5）、阻抗譜法（Impedance Spectroscopy Method）
o 原理：對(duì)材料施加一個(gè)小幅度的交流電場，測量材料的阻抗隨頻率的變化。通過分析阻抗譜的特征，可以得到材料的載流子濃度、遷移率等信息。
o 適用材料：適用于各種導(dǎo)電材料，包括液體電解質(zhì)和固體電解質(zhì)等。
o 優(yōu)點(diǎn)：可以在不同的溫度和頻率下進(jìn)行測試，能夠研究材料的電學(xué)特性隨外界條件的變化；對(duì)材料的損傷較小，可以用于研究材料的長期穩(wěn)定性。
o 缺點(diǎn)：測試結(jié)果的分析比較復(fù)雜，需要一定的理論基礎(chǔ)和數(shù)據(jù)分析能力；對(duì)于高阻抗的材料，測量精度可能會(huì)受到影響。
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