中圖儀器SJ5800系列輪廓儀測(cè)粗糙度測(cè)量原理為直角坐標(biāo)測(cè)量法，即通過X軸、Z軸傳感器，測(cè)繪出被測(cè)零件的表面輪廓的坐標(biāo)點(diǎn)，通過電器組件，將傳感器所測(cè)量的坐標(biāo)點(diǎn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)缴衔籔C機(jī)，軟件對(duì)所采集的原始坐標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算處理，標(biāo)注所需的工程測(cè)量項(xiàng)目。輪廓測(cè)量?jī)x是測(cè)量各種機(jī)械零件素線形狀和截面輪廓形狀的精密設(shè)備。該儀器工作臺(tái)采用高精度的橫向氣浮道軌和滾動(dòng)垂直道軌，移動(dòng)精度高、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)；測(cè)量效率高、操作簡(jiǎn)單、適用于車間檢測(cè)站或計(jì)量室使用。

產(chǎn)品功能

1.一次測(cè)量可同時(shí)評(píng)定粗糙度及輪廓參數(shù)，分析評(píng)定R參數(shù)、P參數(shù)、W參數(shù)等微觀粗糙度參數(shù)及倒角、R角、直線度、位置尺寸、角度的宏觀輪廓參數(shù)；

2.表面粗糙度評(píng)定： R參數(shù)、P參數(shù)、W參數(shù)、核心粗糙度Rcore、Motif等微觀粗糙度參數(shù)評(píng)定；

3.圓球類零件輪廓及粗糙度參數(shù)測(cè)量評(píng)定；

4.表面輪廓評(píng)定：評(píng)定任何點(diǎn)/線間距、兩線夾角、圓弧半徑、直徑等幾何量尺寸參量，并可對(duì)輪廓進(jìn)行直線度、圓度、輪廓度、平行度、位置度、垂直度等分析，重新分析和測(cè)量的操作簡(jiǎn)潔高效；

5.尺寸標(biāo)注：半徑、兩圓中心距離、X/Z尺寸、斜邊、兩線夾角、直線相交、直線與圓弧相交、圓弧與圓弧相交、尺寸標(biāo)注線大小修改、線偏移、局部輪廓放大和調(diào)平等；

6.測(cè)量記錄采用集中式數(shù)據(jù)庫管理，可按被測(cè)件類型、生產(chǎn)單位、出廠編號(hào)、檢測(cè)員、送檢單位、設(shè)備編號(hào)、檢定日期和有效日期等查詢和管理測(cè)量記錄；

7.輸出多種格式報(bào)表(.doc，.docx，.xlsx，.pdf)，并支持自定義報(bào)表，定制測(cè)量記錄報(bào)表，可批量打印記錄表，具有數(shù)據(jù)備份和還原數(shù)據(jù)庫功能；

8.具備自動(dòng)找拐點(diǎn)功能，能按照程序設(shè)置進(jìn)行X軸自動(dòng)找拐點(diǎn)；

9.成熟簡(jiǎn)單的標(biāo)定，儀器自帶高精度組合標(biāo)定臺(tái)，可對(duì)儀器的精度和測(cè)針磨損進(jìn)行精確補(bǔ)償；

10.可進(jìn)行DXF（CAD）格式圖紙導(dǎo)入，進(jìn)行理論圖紙與測(cè)量結(jié)果比對(duì)分析，可提供直觀圖形對(duì)比；

11.可導(dǎo)出坐標(biāo)點(diǎn)數(shù)據(jù)（.TXT）等格式，可讀取到Excel或者CAD軟件內(nèi)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析及標(biāo)準(zhǔn)輪廓比對(duì)；

12.可對(duì)多次測(cè)量的輪廓曲線匹配后進(jìn)行分析測(cè)量重復(fù)性。

輪廓度測(cè)量具體步驟：

1、接好電源線和數(shù)據(jù)線，再啟動(dòng)電腦桌面的中圖輪廓測(cè)量?jī)x檢定軟件；

2、安置好被測(cè)件(如果是特殊工件可以使用中圖儀器定制的夾具進(jìn)行裝夾)；

3、使用大理石臺(tái)右側(cè)的操作手柄調(diào)整測(cè)針位移至被測(cè)工件上方；

4、在軟件上選擇被測(cè)工件的起始、結(jié)束掃描位置，點(diǎn)擊“開始"按鈕，測(cè)針會(huì)自動(dòng)接觸被測(cè)工件表面，進(jìn)行掃描測(cè)量；

5、對(duì)生成的輪廓曲線進(jìn)行分析，得出直線度、距離、角度、圓度、間距等輪廓參數(shù)，測(cè)量結(jié)果可以保存到數(shù)據(jù)庫中，供隨時(shí)查閱、調(diào)用，或者打印。

SJ5800系列輪廓儀測(cè)粗糙度是一款集成表面粗糙度和輪廓測(cè)量的高精度測(cè)量?jī)x器。超高精度衍射光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)，具有12mm~24mm的大量程粗糙度測(cè)量范圍，分辨率高達(dá)0.1nm，系統(tǒng)殘差小于2nm。