中圖儀器國(guó)產(chǎn)白光干涉儀品牌采用非接觸式光波掃描原理，可廣泛應(yīng)用于GaN/SiC外延層臺(tái)階高度與膜厚測(cè)量、晶圓表面粗糙度無(wú)損檢測(cè)、Mini LED發(fā)光膜三維形貌表征、多層復(fù)合薄膜臺(tái)階差分析等工序，從研發(fā)階段的工藝驗(yàn)證，到量產(chǎn)環(huán)節(jié)的來(lái)料檢驗(yàn)、產(chǎn)線(xiàn)抽檢、成品全檢，均可實(shí)現(xiàn)零應(yīng)力檢測(cè)。

無(wú)需擔(dān)心探針劃傷導(dǎo)致的晶圓報(bào)廢，也無(wú)需復(fù)雜制樣，一臺(tái)設(shè)備即可支撐從材料研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控的全流程形貌檢測(cè)，是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)無(wú)損檢測(cè)能力的優(yōu)選方案。

核心測(cè)量性能參數(shù) 零應(yīng)力+亞納米級(jí)高精度

中圖儀器SuperView W1白光干涉儀以硬核技術(shù)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)真正的無(wú)損高精度檢測(cè)，核心性能指標(biāo)如下：

- 測(cè)量原理：寬帶白光干涉非接觸式掃描，以光子場(chǎng)作為“虛擬探針"，檢測(cè)過(guò)程零物理接觸、零機(jī)械應(yīng)力，從根源杜絕劃傷風(fēng)險(xiǎn)。

- 縱向分辨率：<0.1nm，可精準(zhǔn)解析0.07μm超薄臺(tái)階高度，清晰還原納米級(jí)表面形貌與粗糙度細(xì)節(jié)。

- 檢測(cè)無(wú)損傷：對(duì)GaN、SiC、發(fā)光膜等軟質(zhì)、脆性、超薄薄膜無(wú)任何機(jī)械破壞，避免“犁溝效應(yīng)"與晶圓報(bào)廢。

- 形貌重建能力：自研3D重建算法，可完整還原外延層、刻蝕結(jié)構(gòu)的三維形貌，輸出臺(tái)階高度、膜厚、粗糙度、平整度等多維度量化數(shù)據(jù)。

- 適配材質(zhì)：適配化合物半導(dǎo)體、光電薄膜、MEMS等各類(lèi)易損傷微結(jié)構(gòu)與軟質(zhì)材料表面。

產(chǎn)線(xiàn)量產(chǎn)適配參數(shù) 高節(jié)拍+高穩(wěn)定性適配工業(yè)場(chǎng)景

除了核心精度，設(shè)備在量產(chǎn)適配性上同樣經(jīng)過(guò)工業(yè)級(jí)驗(yàn)證，關(guān)鍵參數(shù)如下：

- 測(cè)量重復(fù)性：內(nèi)置PZT閉環(huán)控制系統(tǒng)，量測(cè)重復(fù)性(GR&R)符合嚴(yán)苛工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠，滿(mǎn)足量產(chǎn)質(zhì)控的一致性要求。

- 檢測(cè)效率：無(wú)需真空制樣、無(wú)需導(dǎo)電化處理，樣品放置即可檢測(cè)；支持大面積晶圓快速掃描，檢測(cè)節(jié)拍快，適配產(chǎn)線(xiàn)高UPPH需求。

- 環(huán)境適應(yīng)性：支持潔凈室環(huán)境下部署，抗干擾能力強(qiáng)，可直接應(yīng)用于產(chǎn)線(xiàn)旁的在線(xiàn)抽檢，無(wú)需苛刻的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。

- 自動(dòng)化能力：支持批量樣品檢測(cè)、數(shù)據(jù)自動(dòng)統(tǒng)計(jì)與報(bào)表輸出，可對(duì)接產(chǎn)線(xiàn)質(zhì)量管理系統(tǒng)，減少人工干預(yù)，提升檢測(cè)自動(dòng)化水平。

注：中圖儀器國(guó)產(chǎn)白光干涉儀品牌產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級(jí)實(shí)時(shí)更新，具體以新標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，詳情可咨詢(xún)客服獲取完整資料。