中圖儀器SuperViewW1白光干涉三維形貌表征測量儀采用非接觸式光波掃描原理，可廣泛應(yīng)用于GaN/SiC外延層臺階高度與膜厚測量、晶圓表面粗糙度無損檢測、Mini LED發(fā)光膜三維形貌表征、多層復(fù)合薄膜臺階差分析等工序，從研發(fā)階段的工藝驗證，到量產(chǎn)環(huán)節(jié)的來料檢驗、產(chǎn)線抽檢、成品全檢，均可實現(xiàn)零應(yīng)力檢測。

無需擔(dān)心探針劃傷導(dǎo)致的晶圓報廢，也無需復(fù)雜制樣，一臺設(shè)備即可支撐從材料研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控的全流程形貌檢測，是化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線升級無損檢測能力的優(yōu)選方案。

核心性能指標(biāo)

- 測量原理：寬帶白光干涉非接觸式掃描，以光子場作為“虛擬探針"，檢測過程零物理接觸、零機(jī)械應(yīng)力，從根源杜絕劃傷風(fēng)險。

- 縱向分辨率：<0.1nm，可精準(zhǔn)解析0.07μm超薄臺階高度，清晰還原納米級表面形貌與粗糙度細(xì)節(jié)。

- 檢測無損傷：對GaN、SiC、發(fā)光膜等軟質(zhì)、脆性、超薄薄膜無任何機(jī)械破壞，避免“犁溝效應(yīng)"與晶圓報廢。

- 形貌重建能力：自研3D重建算法，可完整還原外延層、刻蝕結(jié)構(gòu)的三維形貌，輸出臺階高度、膜厚、粗糙度、平整度等多維度量化數(shù)據(jù)。

- 適配材質(zhì)：適配化合物半導(dǎo)體、光電薄膜、MEMS等各類易損傷微結(jié)構(gòu)與軟質(zhì)材料表面。

Mini LED芯片產(chǎn)線案例 解決發(fā)光膜檢測劃傷難題

某Mini LED芯片制造企業(yè)，在發(fā)光膜臺階高度檢測環(huán)節(jié)長期使用接觸式臺階儀，由于發(fā)光膜材質(zhì)柔軟，探針極易在膜面留下劃痕，導(dǎo)致芯片發(fā)光性能受影響，成品率一直難以突破。同時傳統(tǒng)設(shè)備檢測效率低，難以跟上量產(chǎn)線的節(jié)拍。

經(jīng)過多輪實測驗證，該企業(yè)選擇中圖儀器SuperViewW1白光干涉三維形貌表征測量儀作為替代方案。設(shè)備采用非接觸檢測原理，解決了探針劃傷發(fā)光膜的問題；同時支持大面積快速掃描，可批量完成芯片陣列的形貌檢測，數(shù)據(jù)自動統(tǒng)計輸出。

投入使用后，該企業(yè)發(fā)光膜檢測的劃傷不良率大幅下降，成品率得到明顯提升；單批次檢測時間縮短，檢測工位產(chǎn)能跟上了產(chǎn)線節(jié)奏，成功實現(xiàn)了質(zhì)量與效率的雙重改善。

注：產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級實時更新，具體以新標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，詳情可咨詢客服獲取完整資料。