在先進半導體與LED器件的研發(fā)及量產(chǎn)環(huán)節(jié)，刻蝕形貌、薄膜臺階的三維測量是質(zhì)量管控的核心依據(jù)。中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀0.07μm超薄臺階檢測，深度適配LED刻蝕表面三維測量、超薄介質(zhì)膜檢測、微孔陣列批量統(tǒng)計等核心場景，從實驗室研發(fā)驗證到車間產(chǎn)線抽檢，均能穩(wěn)定輸出高置信度數(shù)據(jù)。

針對樣件表面高反光介質(zhì)層與低反光刻蝕底材共存的復雜情況，設備搭載EPSI復合掃描算法，單次掃描即可同步完成高低反射率區(qū)域成像，無需人工反復調(diào)節(jié)光源參數(shù)；內(nèi)置千赫茲級環(huán)境噪聲監(jiān)測系統(tǒng)，配合閉環(huán)伺服補償算法，可有效屏蔽車間機械振動、溫濕度波動帶來的納米級臺階高度環(huán)境漂移，無需依賴昂貴的外部氣浮減振臺，在真實工業(yè)現(xiàn)場即可維持實驗室級測量精度。

無論是0.07μm超薄臺階的精細表征，還是122μm大孔徑陣列的批量檢測，該設備都能提供穩(wěn)定的三維形貌數(shù)據(jù)支撐，助力企業(yè)加速工藝參數(shù)迭代，縮減研發(fā)與檢測工時。

LED晶圓刻蝕檢測實測案例

某光電企業(yè)在LED刻蝕工藝研發(fā)中，長期面臨兩大檢測難題：一是刻蝕樣件表面高反光薄膜與低反光孔底反差大，傳統(tǒng)設備需反復調(diào)光且成像不全；二是車間環(huán)境振動導致納米級臺階高度數(shù)據(jù)漂移，工藝迭代缺乏穩(wěn)定數(shù)據(jù)支撐。

引入中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀0.07μm超薄臺階檢測后，通過EPSI復合掃描算法，單次掃描即可同時清晰呈現(xiàn)超薄介質(zhì)膜與刻蝕孔洞的3D形貌，0.2μm的微小膜層落差可精準捕捉，陣列離散度極低；內(nèi)置的環(huán)境噪聲檢測與補償系統(tǒng)，在車間常規(guī)振動環(huán)境下，依然能維持數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，解決基線漂移問題。

實測覆蓋0.07μm超薄臺階至122μm大孔徑全尺度微結構，檢測效率提升顯著，無需人工反復調(diào)試，為該企業(yè)的刻蝕工藝參數(shù)迭代提供了可靠的測量支撐。

注：產(chǎn)品參數(shù)與服務可能根據(jù)技術升級實時更新，具體以新標準為準，詳情可咨詢客服獲取完整資料。