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技術(shù)文章

壓力傳感器可配備不同的傳感器元件

閱讀:45發(fā)布時(shí)間:2025-3-5

壓力傳感器是將實(shí)際壓力值轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的組件。壓力傳感器可配備不同的傳感器元件,并響應(yīng)氣體或液體壓力對(duì)元件施加的壓力。然后測(cè)量零件上的力,并將其轉(zhuǎn)換為PLC、處理器和其他計(jì)算機(jī)監(jiān)控的電氣輸出信號(hào)。


壓力傳感器的四種壓力技術(shù):


今天的市場(chǎng)上有許多不同的壓力傳感技術(shù)。世界各地制造商常用的技術(shù)如下:


1.電容式電容式壓力傳感器通常受到大量OEM專(zhuān)業(yè)應(yīng)用的青睞。檢測(cè)兩個(gè)表面之間的電容器變化,使這些傳感器能夠感覺(jué)到非常低的壓力和真空水平。在我們典型的傳感器配置中,緊湊的外殼包含兩個(gè)金屬表面,空間緊密、平行和電氣隔離,其中一個(gè)本質(zhì)上是壓力下輕微彎曲的隔膜。安裝這些固定表面(或板)來(lái)改變?cè)g的間隙(實(shí)際上形成一個(gè)可變的電容器)。高電平信號(hào)通過(guò)敏感的線性比較器電路(或ASIC)進(jìn)行放大和輸出。


2.CVD類(lèi)型-化學(xué)氣相沉積(或CVD)制造方法將多晶硅層粘附在分子水平的不銹鋼薄膜上,生產(chǎn)具有優(yōu)異長(zhǎng)期漂移性能的傳感器。常量半導(dǎo)體制造方法用于創(chuàng)建性能優(yōu)異的多晶硅應(yīng)變橋,價(jià)格非常合理。CVD是OEM應(yīng)用中歡迎的傳感器,具有優(yōu)異的成本性能。


3.濺射膜類(lèi)型——濺射膜沉積(或膜)能創(chuàng)造出線性、滯后性和可重復(fù)性的傳感器。精度可高達(dá)0.08%,長(zhǎng)期漂移可低至每年0.06%。


4.MMS類(lèi)型——這些傳感器使用微加工硅(MMS)隔膜來(lái)檢測(cè)壓力變化。硅膜與流體壓力串聯(lián),不受介質(zhì)影響。MMS傳感器采用普通半導(dǎo)體制造技術(shù),耐壓性高,線性好,熱沖擊性能好,穩(wěn)定性好。


5.高溫玻璃粉燒結(jié)腔背面的硅應(yīng)變器采用微熔玻璃微熔技術(shù),壓力腔采用進(jìn)口17-4pH不銹鋼加工,無(wú)O圈、焊縫、泄漏隱患。



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