詳細摘要： SYSKEY可提供反應離子刻蝕和電感耦合反應離子刻蝕，支持 8 英寸樣品。
產(chǎn)品型號：所在地：上海更新時間：2024-08-11 在線留言上海德竹芯源科技有限公司
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詳細摘要： Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及...
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詳細摘要： 多腔互聯(lián)鍍膜系統(tǒng)可滿足器件樣品在全真空環(huán)境下制備，所有膜層之間不接觸空氣，有利于器件性能的提高，通常多腔體系統(tǒng)可集成多種薄膜沉積技術(shù)和薄膜前后處理技術(shù)。
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詳細摘要： PICOSUN? R-200 標準 ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學器...
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詳細摘要： PICOSUN? P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設計，確?？梢陨a(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學和光學性能的高質(zhì)量 ALD 薄...
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詳細摘要： 這款用于實驗和研發(fā)的小規(guī)模生產(chǎn)立式爐管實現(xiàn)了高質(zhì)量的處理。該立式爐管很緊湊，只需要很小的安裝面積，但可用于各種直徑的晶圓，具有與量產(chǎn)爐相同的溫度特性。
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詳細摘要： 低壓化學氣相淀積（LPCVD）是在低壓條件下通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如：氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅...
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詳細摘要： 適用于常壓干氧氧化、濕氧氧化、氫氧合成氧化、擴散、退火/推進、合金等工藝。
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詳細摘要： 這款配有自動輸送機的低成本立式爐管可用于從研發(fā)到批量生產(chǎn) 4 至 8 英寸晶圓的一系列功能。提供超高溫處理，非常適合功率器件制造。
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詳細摘要： 對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā)，可采用電子束蒸發(fā)的方式來實現(xiàn)。不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱，高能電子束轟擊可實現(xiàn)超過3000℃的局域高溫，這使得絕大部分...
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詳細摘要： 主要應用晶圓顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠去除，光刻膠的去除及對樣片是否有損傷，將影響到后續(xù)工藝和器件的性能。
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詳細摘要： 磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù) (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料，具有設備簡單、...
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詳細摘要： 主要應用晶圓顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠去除，光刻膠的去除及對樣片是否有損傷，將影響到后續(xù)工藝和器件的性能。
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詳細摘要： 本設備是利用超短脈沖激光實現(xiàn)碳化硅晶圓高質(zhì)量、高效率的切割加工。
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詳細摘要： 金屬有機物前驅(qū)體和反應氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應，形成原子級精度（厚度和原子排布）的薄膜。
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詳細摘要： 等離子體光譜儀器Crookesl，針對半導體等離子體工藝設備開發(fā)，兼具原位監(jiān)控和譜線分析功能，解決等離子體工藝穩(wěn)定度監(jiān)控，等離子體工藝過程監(jiān)控，等離子體工藝實時...
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詳細摘要： SWA-20US 適用晶圓尺寸 6 寸及以下晶圓激光退火，具有晶圓厚度檢測、激光功率檢測、激光束圖形檢測、激光焦點檢測功能。
產(chǎn)品型號：所在地：上海更新時間：2024-08-10 在線留言
詳細摘要： 等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用等離子體為沉積反應提供能量的化學氣相沉積(CVD)技術(shù)。PECVD可替代傳統(tǒng)CVD在較低的溫度下沉積各種薄膜，且...
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詳細摘要： 在真空環(huán)境下用熱阻絲加熱的方式將材料加熱到蒸發(fā)，真空腔室內(nèi)的基片和襯底表面會形成薄膜或涂層，此過程被稱為真空熱蒸鍍，加熱材料的方式主要有熱舟式和坩堝式。
產(chǎn)品型號：所在地：上海更新時間：2024-08-09 在線留言
詳細摘要： SENresearch 4.0 是 SENTECH 新的光譜橢偏儀。每一臺 SENresearch 4.0 光譜橢偏儀都是根據(jù)客戶具體配置的光譜范圍、選項和現(xiàn)場...
產(chǎn)品型號：所在地：上海更新時間：2024-08-09 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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