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更新時(shí)間：2024-11-06 13:09:10瀏覽次數(shù)：140次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 儀表網(wǎng)超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SU8600系列隨著快速數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理技術(shù)的發(fā)展，電子顯微鏡進(jìn)入了一個(gè)不僅重視數(shù)據(jù)質(zhì)量，而且重視其采集過(guò)程的時(shí)代
超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SU8600系列
隨著快速數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理技術(shù)的發(fā)展，電子顯微鏡進(jìn)入了一個(gè)不僅重視數(shù)據(jù)質(zhì)量，而且重視其采集過(guò)程的時(shí)代。SU8600系列秉承了Regulus8200系列的高質(zhì)量圖像、大束流分析及長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的冷場(chǎng)成像技術(shù)，同時(shí)還大大提升了高通量、自動(dòng)數(shù)據(jù)獲取能力。
日立的高亮度電子源可保證了即使在超低著陸電壓下，也可獲得超高分辨的圖像。
0.8 kV電壓條件下觀察RHO型沸石的實(shí)例。左圖為顆粒整體的形貌,右圖為放大圖像，顆粒表面細(xì)微的臺(tái)階結(jié)構(gòu)清晰可見(jiàn)。低電壓觀察對(duì)于減少電子束損傷和獲取表面形狀信息較為有效。
3D NAND截面觀察;
在低加速電壓條件下，背散射電子信號(hào)能夠明顯的顯示出氧化硅層和氮化硅層的襯度差別。
3D NAND截面觀察（加速電壓：1.5kV）
由于使用了新型的OCD探測(cè)器，即使掃描時(shí)間不到1秒，也仍然可以觀察到Fin-FET清晰的深層結(jié)構(gòu)圖像.
5納米制程SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察 （加速電壓：30kV，掃描時(shí)間<1秒）
EM Flow Creator 允許客戶創(chuàng)建連續(xù)圖像采集的自動(dòng)化工作流程。EM Flow Creator將不同的SEM功能定義為圖形化的模塊，如設(shè)置放大倍率、移動(dòng)樣品位置、調(diào)節(jié)焦距和明暗對(duì)比度等。用戶可以通過(guò)簡(jiǎn)單的鼠標(biāo)拖拽，將這些模塊按邏輯順序組成一個(gè)工作程序。經(jīng)過(guò)調(diào)試和確認(rèn)后，該程序便可以在每次調(diào)用時(shí)自動(dòng)獲得高質(zhì)量、重現(xiàn)性好的圖像數(shù)據(jù)。
原生支持雙顯示器，提供靈活、高效的操作空間。6通道同時(shí)顯示與保存，實(shí)現(xiàn)快速的多信號(hào)觀測(cè)與采集。
1,2,4 或6通道信號(hào)可在同一個(gè)顯示器上同時(shí)顯示，可切換內(nèi)容包括SEM各探測(cè)器以及樣品室相機(jī)和導(dǎo)航相機(jī)?？梢酝ㄟ^(guò)使用兩個(gè)顯示器來(lái)擴(kuò)展工作空間，可定制的用戶界面以提高工作效率。
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