北京歐唐科技發(fā)展有限公司
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更新時(shí)間:2025-02-13 08:14:37瀏覽次數(shù):122次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 儀表網(wǎng)scia Cube 750用于樣品尺寸為 750 mm x 750 mm 的大面積鍍膜和刻蝕??捎糜谟?jì)量光柵的制造。
通過(guò)微波激勵(lì)反應(yīng)氣體,產(chǎn)生等離子體。通過(guò)射頻偏壓,增強(qiáng)離子轟擊能量。
PECVD的過(guò)程,為使用等離子體輔助反應(yīng),將氣體原子沉積在基板表面形成薄膜。
RIE的過(guò)程,使用反應(yīng)氣體和離子轟擊,對(duì)基板表面進(jìn)行物理與化學(xué)的刻蝕。
該系統(tǒng)專為大面積高密度等離子體工藝過(guò)程而設(shè)計(jì),可在較寬范圍內(nèi)調(diào)節(jié)沉積參數(shù),實(shí)現(xiàn)高速率氣相沉積鍍膜。此外,也可以使用氧氣或鹵素化學(xué)氣體進(jìn)行高各向異性蝕刻,并優(yōu)化刻蝕工藝的選擇比。
- 通過(guò)同步線性微波源陣列,實(shí)現(xiàn)大面積等離子體工藝過(guò)程
- 在樣品支架上配置獨(dú)立的射頻偏壓,對(duì)樣品實(shí)現(xiàn)高能轟擊
- 樣品可冷卻至 -10°C
- 樣品面朝下放置,避免顆粒污染
- 可進(jìn)行原位腔室清洗處理
- 全自動(dòng)樣品真空裝載LoadLock與大氣環(huán)境樣品存儲(chǔ)系統(tǒng)
- PECVD工藝
介質(zhì)膜的沉積, 例如封裝、阻擋涂層、電絕緣(SiO2、Si3N4等)
光學(xué)和耐磨涂層(a-C:H,DLC)
納米金剛石和碳納米管的生長(zhǎng)
- RIE工藝
金屬(鎳、鉻、鉑等)的反應(yīng)蝕刻和微結(jié)構(gòu)圖形制備
光學(xué)材料(石英、熔融石英)中光柵和其他結(jié)構(gòu)的蝕刻
光刻膠灰化
樣品尺寸 | 750 mm x 750 mm |
| 樣品支架 | 水冷,RF偏壓 |
| 樣品溫度 | 可以冷卻至 -10 °C 或加熱至 850 °C |
| 等離子體源 | 7個(gè)線性微波源 (PL1300) 和/或RF平行平板布置, 13.56 MHz |
| 典型刻蝕速率 | 金屬: > 5 nm/min, SiO2: > 30 nm/min |
| 電源 | 微波源: max. 48 kW, 射頻源: max. 3 kW |
| 基礎(chǔ)真空 | < 1 x 10-6 mbar |
| 系統(tǒng)尺寸(WxDxH) | 3.70 m x 2.50 m x 2.00 m (不含電控柜與泵) |
| 配置 | 單真空室配單樣品裝載機(jī)構(gòu)load lock, 可選大氣環(huán)境樣品裝載與存儲(chǔ)系統(tǒng) |
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商 鋪:北京歐唐科技發(fā)展有限公司 http://m.liuyangwu.com/st159679/
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