scia Mill 150適用于在多種材料復(fù)雜多層膜上的微結(jié)構(gòu)刻蝕。該系統(tǒng)對(duì)活性氣體相容，能夠進(jìn)行反應(yīng)蝕刻工藝以提高選擇性和刻蝕速率。由于其節(jié)省空間的設(shè)計(jì)，scia Mill 150是小規(guī)模生產(chǎn)和研發(fā)應(yīng)用的理想選擇。

詳細(xì)介紹

常規(guī)屬性

- 采用圓形離子源對(duì)全部樣品區(qū)域在惰性或反應(yīng)氣體環(huán)境下進(jìn)行刻蝕

- 可進(jìn)行離子束刻蝕（IBE、IBM）、反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）和化學(xué)輔助離子束刻蝕（CAIBE）

- 刻蝕角度調(diào)整：樣品臺(tái)可以旋轉(zhuǎn)且傾斜可調(diào)

- 可獲得的均勻性而無需修正擋板

- 通過反應(yīng)氣體可以提高刻蝕速率，并控制刻蝕選擇性

- 通過基于SIMS（二次離子質(zhì)譜）或光學(xué)的截止點(diǎn)探測(cè)技術(shù)控制工藝

- 可配備晶圓載具（wafer carrier）以適用不同尺寸基底

- 可以刻蝕光刻膠晶圓，具有良好的樣品冷卻配置

系統(tǒng)性能

scia Mill 150
樣品尺寸	ф150mm
樣品夾具	水冷，氦背板冷卻轉(zhuǎn)速：5 - 20 rpm 傾斜：0° - 165° 步長(zhǎng) 0.1°
離子源	ф218mm的圓形ECR 微波源 MW218-e
中和器	等離子體橋中和器N-3DC
參考刻蝕速率	SiO₂：30nm/min
刻蝕均勻性	≦1% (σ/mean)
基礎(chǔ)真空度	5 x 10^-7 mbar
尺寸（不含電柜與真空泵）	1.7m x 1.7m x 1.7m
軟件界面	SECS II / GEM, OPC
標(biāo)準(zhǔn)配置	1 個(gè)工作倉

配置選項(xiàng)

- 單片 Load-Lock（可選）， OES 或SIMS截止點(diǎn)探測(cè)器（可選），加熱套

關(guān)鍵詞：二次離子質(zhì)譜真空泵標(biāo)準(zhǔn)

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