傳感器技術(shù)是現(xiàn)代測(cè)量和自動(dòng)化系統(tǒng)中的重要技術(shù)之一。幾乎每一項(xiàng)技術(shù)都離不開(kāi)傳感器，從宇宙開(kāi)發(fā)到海底勘探，從生產(chǎn)過(guò)程控制到現(xiàn)代文明生活。許多國(guó)家都非常重視傳感器技術(shù)的發(fā)展。例如，六大中心技術(shù)（計(jì)算機(jī)、通信、激光、半導(dǎo)體、超導(dǎo)和傳感器）日本將傳感器技術(shù)列為之一；因此，從事現(xiàn)代測(cè)量和自動(dòng)控制的技術(shù)人員有必要了解和熟悉壓力傳感器的發(fā)展過(guò)程。

　　以半導(dǎo)體傳感器的發(fā)明為標(biāo)志的是現(xiàn)代壓力傳感器，半導(dǎo)體傳感器的發(fā)展可分為四個(gè)階段：

　　發(fā)明階段（1945-1960年）

　　這一階段的主要標(biāo)志是1947年雙極晶體管的發(fā)明。從那時(shí)起，半導(dǎo)體材料的這一特性得到了普遍的應(yīng)用。C.S.Smith于1945發(fā)現(xiàn)了硅和鍺的壓阻效應(yīng)，即當(dāng)外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí)，其電阻將發(fā)生明顯變化。根據(jù)這一原理，壓力傳感器是通過(guò)將應(yīng)變電阻粘貼在金屬膜上制成的，即將力信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。

　　技術(shù)發(fā)展階段（1960-1970年）

　　隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展，直接將應(yīng)變電阻擴(kuò)散到晶面上，技術(shù)人員在硅的（110）或（001）晶面上選擇合適的晶向，然后形成薄的硅彈性膜片，在背面加工成凹形，稱(chēng)為硅杯。這種硅杯傳感器具有體積小、穩(wěn)定性好、成本低、重量輕、靈敏度高、易于集成等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)現(xiàn)了金屬硅共晶，為商業(yè)化開(kāi)發(fā)提供了可能。

　　商業(yè)化集成加工階段（1970-1980年）

　　基于硅杯擴(kuò)散理論，采用了硅的各向異性腐蝕技術(shù)。擴(kuò)散硅傳感器已經(jīng)發(fā)展成為一種能夠自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)，其加工技術(shù)主要集中在硅的各種各向異性腐蝕技術(shù)上。主要包括V型槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽(yáng)極氧化自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕,數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,成本進(jìn)一步降低。

　　微機(jī)械加工階段（1980年-今）

　　上世紀(jì)末納米技術(shù)的出現(xiàn)使微加工成為可能。通過(guò)微加工過(guò)程，結(jié)構(gòu)壓力傳感器可以通過(guò)計(jì)算機(jī)控制進(jìn)行加工，其線性度可以控制在微米范圍內(nèi)。利用這項(xiàng)技術(shù)，從而使壓力傳感器進(jìn)入微米階段，可以加工和蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜。

　　在各種傳感器中，壓力傳感器可普遍用于壓力、高度、加速度、液體流量、流量、液位和壓強(qiáng)的測(cè)量和控制，具有體積小、穩(wěn)定可靠、成本低、重量輕、靈敏度高、易于集成等優(yōu)點(diǎn)。壓力傳感器已成為各種傳感器中性能穩(wěn)定、性?xún)r(jià)比高、技術(shù)很成熟的傳感器。