深圳市粵科源興科技有限公司
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閱讀：113發(fā)布時間：2025-10-16
霍爾元件由不同的半導(dǎo)體薄膜材料組成：由銻化銦（InSb）制成的超靈敏霍爾元件，由砷化銦（InAs）制成的高靈敏度霍爾元件和由砷化鎵（GaAs）制成的低漂移霍爾元件。但由于其靈敏度低，因此在表中所示的產(chǎn)品線中并未將其用作霍爾元件。硅（Si）是常見的霍爾元件材料之一，霍爾IC中使用硅?；魻栐撵`敏度與半導(dǎo)體材料的遷移率成正比。溫度特性受多種因素影響，但主要由帶隙決定。
表1列出了當前用作霍爾元件的主要半導(dǎo)體材料及其獨特特性。
溫度特性和輸出電壓的靈敏度因霍爾元件的材料而異。用戶應(yīng)選擇適合其特定應(yīng)用的霍爾元件。各種霍爾元素類型的特征如下：
? InSb：在三種霍爾元件類型中最敏感。
? GaAs：在三種霍爾元件類型中的溫度特性。
? InAs：該霍爾元件在靈敏度和溫度特性之間具有良好的平衡。
圖顯示了使用恒定電流驅(qū)動且控制電流相同（IC = 5mA）的3種霍爾元件的輸出電壓特性。
圖顯示了使用恒定電壓驅(qū)動且控制電壓相同（VC = 1V）的三種霍爾元件的輸出電壓特性。
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