— 產(chǎn)品特性 —
01.BL-HE-DH481是一款基于混合信號CMOS技術(shù)的全極型霍爾效應(yīng)傳感器,這款I(lǐng)C采用了的斬波穩(wěn)定技術(shù),
因而能夠提供準(zhǔn)確而穩(wěn)定的磁開關(guān)點(diǎn)。
02.在電路設(shè)計(jì)上,BL-HE-DH481提供了一個內(nèi)嵌的受控時(shí)鐘機(jī)制來為霍爾器件和模擬信號處理電路提供時(shí)鐘源,
同時(shí)這個受控時(shí)鐘機(jī)制可以發(fā)出控制信號使得消耗電流較大的電路周期性的進(jìn)入“休眠"模式;同樣通過這個機(jī)
制,芯片被周期性地“喚醒"并且根據(jù)預(yù)定好的磁場強(qiáng)度閾值檢測并且根據(jù)預(yù)定好的磁場強(qiáng)度閾值檢測外界穿過
霍爾器件磁場強(qiáng)度的大小。
03.如果磁通密度高于“工點(diǎn)"閥值或者低于“釋放點(diǎn)"閾值,則開漏輸出晶體管被驅(qū)動并鎖存成與之相對應(yīng)的狀
態(tài)。而在“休眠"周期中,輸出晶體管被鎖定在其先前的狀態(tài)下。在電池供電應(yīng)用中,這種設(shè)計(jì)對于延長工作壽
命提供了支持。
04.BL-HE-DH481的輸出晶體管在面向封裝標(biāo)示一面存在一定強(qiáng)南極或北極磁場時(shí)被鎖定在開(BOP)狀態(tài),而在
無磁場時(shí)鎖定在關(guān)(B RP )狀態(tài)。
— 產(chǎn)品介紹 —
— 產(chǎn)品尺寸 —
— 電氣特性 —
| 產(chǎn)品參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 平均值 | 值 | 單位 |
| 工作電壓 | VDD | 工作時(shí) | 2.5 | 3 | 5.5 | V |
| 電源電流 | IDD | 平均值 | -- | 5 | -- | μA |
| 輸出電流 | Iout | -- | -- | -- | 1 | mA |
| 飽和壓降 | VSAT | IOUT =1mA | -- | -- | 0.4 | V |
| 喚醒模式時(shí)間 | Taw | 工作時(shí) | -- | 170 | -- | μs |
| 休眠模式時(shí)間 | Tsl | 工作時(shí) | -- | 40 | 70 | mS |
— 應(yīng)用產(chǎn)品 —
— ESD防范 —
01.電子半導(dǎo)體產(chǎn)品對靜電比較敏感,所以每次處理半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí)要注意靜電控制程序。


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