— 產(chǎn)品特性 —
01.BL-HE-DH475是一款基于混合信號 CMOS 技術的全極型霍爾效應傳感器,這款 IC 采用了的斬波穩(wěn)定技
術,因而能夠提供準確而穩(wěn)定的磁開關點。
02.在電路設計上,BL-HE-DH475提供了一個內(nèi)嵌的受控時鐘機制來為霍爾器件和模擬信號處理電路提供時鐘源,
同時這個受控時鐘機制可以發(fā)出控制信號使得消耗電流較大的電路周期性的進入“休眠"模式;同樣通過這個機
制,芯片被周期性地“喚醒"并且根據(jù)預定好的磁場強度閾值檢測外界穿過霍爾器件磁場強度的大小。如果磁通
密度高于“工作點"閾值或者低于“釋放點"閾值,則開漏輸出晶體管被驅(qū)動并鎖存成與之相對應的狀態(tài)。而在
“休眠"周期中,輸出晶體管被鎖定在其先前的狀態(tài)下。在電池供電應用中,這種設計對于延長工作壽命提供了
支持。
03.BL-HE-DH475的輸出晶體管在面向封裝標示的一面存在一定強南極或北極磁場時會被鎖定在開(Bop)狀態(tài),
而在無磁場時鎖定在關(BRp)狀態(tài)。
— 產(chǎn)品介紹 —
— 產(chǎn)品尺寸 —
— 電氣特性 —
| 產(chǎn)品參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 平均值 | 值 | 單位 |
| 工作電壓 | VDD | 工作時 | 2.4 | 3 | 5.5 | V |
| 電源電流 | IDD | 平均值 | -- | 1.67 | -- | µA |
| 輸出電流 | IOUT | -- | -- | 1 | mA | |
| 飽和壓降 | VSAT | I OUT =1mA | -- | -- | 0.3 | V |
| 喚醒模式時間 | TAW | 工作時 | -- | 9 | 15 | μs |
| 休眠模式時間 | TSL | 工作時 | -- | 8 | 13 | mS |
— 安裝提示 —
— ESD防范 —
01.電子半導體產(chǎn)品對靜電比較敏感,所以每次處理半導體產(chǎn)品時要注意靜電控制程序。


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