一、目前，國(guó)內(nèi)的電容投切裝置所采用的開(kāi)關(guān)元件可以分為三大類:

1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置(MSC)

接觸器投入過(guò)程中，電容器的初始電壓為零，觸點(diǎn)閉合瞬間，絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時(shí)可能處在高峰值(極少為零)因而產(chǎn)生非常大的電流，也就是常說(shuō)的合閘涌流實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時(shí)可達(dá)電容器額定電流的 50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命，而且對(duì)電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設(shè)備的正常工作。因此，后來(lái)采用串接電抗器和加入限流電阻來(lái)抑制涌流，這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的 20 倍以內(nèi)，但從長(zhǎng)期運(yùn)行情況來(lái)看，其故障率仍然非常高，維修費(fèi)用較高。

總的實(shí)踐應(yīng)用反映，其性能如下:優(yōu)點(diǎn):價(jià)格低，初期投入成本上升少，無(wú)漏電流

2、電子式無(wú)觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置(TSC)

可控硅投切電容器，是利用了電子開(kāi)關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過(guò)零觸發(fā)電路，檢測(cè)當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號(hào)，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。但是，可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時(shí)，可控硅結(jié)間會(huì)產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個(gè)可控硅消耗功率約為22W。如以一個(gè)150KVAR 電容柜來(lái)算，運(yùn)行時(shí)可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W，而且都變成熱量，使機(jī)柜溫度升高。同時(shí)可控硅有漏電流存在，當(dāng)未接電容時(shí)，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓

優(yōu)點(diǎn):無(wú)涌流，無(wú)觸點(diǎn)，使用壽命長(zhǎng)、維修少，投切速度快(5ms內(nèi))

3復(fù)合開(kāi)關(guān)投切電容裝置(TSC+MSC)

復(fù)合開(kāi)關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過(guò)零時(shí)投入電容器，然后再由磁保持繼電器觸點(diǎn)并聯(lián)閉合，可控硅退出，電容器在磁保持繼電器觸點(diǎn)閉合下運(yùn)行。因而實(shí)現(xiàn)了投入無(wú)涌流運(yùn)行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本，通常選用兩只小功率，低耐壓可控硅串聯(lián)使用，利用可控硅20ms內(nèi)電流可過(guò)載10 倍額定電流的特性，過(guò)零投入，再用繼電器閉合運(yùn)行。而磁保持繼電器觸點(diǎn)偏小，且額定機(jī)械壽命一般為 5萬(wàn)次，從目前投入市場(chǎng)使用情況看，可控硅時(shí)有擊穿，磁保持繼電器也有卡住不動(dòng)作現(xiàn)象，工作不夠穩(wěn)定

總的講， 優(yōu)點(diǎn):無(wú)涌流，不發(fā)熱，節(jié)能

二、用戶通過(guò)對(duì)各種電容投切裝置性能比較，根據(jù)工程上的要求，有目的進(jìn)行選型以實(shí)現(xiàn)滿意的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性能。作者通過(guò)實(shí)踐，從以上分析，提出建議如下:

1、用于無(wú)功量比較穩(wěn)定，不需要頻繁投切電容補(bǔ)償?shù)挠脩艨蛇x用帶帶限流電陽(yáng)的接觸器投切電容裝置，這種裝置比較經(jīng)濟(jì)、價(jià)格低。由于投切次數(shù)少，相應(yīng)壽命就夠長(zhǎng)了。

2、對(duì)于需要快速頻繁投切電容補(bǔ)償?shù)挠脩?，如電焊、電梯等設(shè)備，應(yīng)選用無(wú)觸點(diǎn)可控硅投切電容裝置，才能達(dá)到應(yīng)有的補(bǔ)償效果

3、對(duì)于其他一般工廠、小區(qū)和普通設(shè)備，無(wú)功量變化時(shí)間大于 30s的地區(qū)，則考慮選用對(duì)電網(wǎng)無(wú)沖擊、節(jié)能、安全、經(jīng)濟(jì)、使用壽命長(zhǎng)的無(wú)涌流電容投切器。