技術(shù)參數(shù)

l 分析范圍：1ppm~99%

l 精度：RSD≤0.05%  Ag≥90%

l 光管管流：0-1000μA

l 探測(cè)器：美國進(jìn)口Amptek探測(cè)器SDD

l 高壓電源：0-50KV

l 光管電壓：5-50KV/可選配進(jìn)口光管

l 分辨率：129±5eV

l 測(cè)試時(shí)間：30-100s

技術(shù)特點(diǎn)

l 測(cè)試采用x射線熒光光譜原理，測(cè)試過程無需耗材

l 配置高清液晶顯示器，測(cè)試過程和測(cè)試結(jié)果一目了然

l 光管垂直照射，硅元素性能得到更強(qiáng)激發(fā)

l 設(shè)備集成多個(gè)usb接口，數(shù)據(jù)和通訊傳輸滿足多種要求

l 測(cè)試下限好,可準(zhǔn)確測(cè)量 0.01glm2的涂磚量

l 空氣光路內(nèi)部環(huán)境得到顯著優(yōu)化,大氣環(huán)境一樣可以直接測(cè)試

l 采用大面積碎漂移探測(cè)器，測(cè)試結(jié)果極其準(zhǔn)確

l 一鍵測(cè)試/操作簡單智能，測(cè)試過程使用時(shí)間更短，結(jié)果更準(zhǔn)確

l 快速采用新的模型算法，大大提高了輕元素的測(cè)量穩(wěn)定性

應(yīng)用領(lǐng)域

l 各種薄膜、淋膜、離型膜等硅油涂布量的測(cè)定

l 各種薄膜生產(chǎn)過程中Si/Al元素等比量的測(cè)定

l 電子產(chǎn)品保護(hù)膜、硅油殘余量的測(cè)定

l 電子產(chǎn)品硫化物的殘留量的測(cè)定