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產(chǎn)品應用

• 設備用于Lidar應用激光器芯片、工業(yè)級高功率激光器，醫(yī)療與顯示等高功率激光器芯片領域

產(chǎn)品特點

• 支持多種主流規(guī)格料盒，全自動上下料，避免轉(zhuǎn)料或人工操作對巴條chip造成的報廢

• 支持BAR條自動上料、首顆chip識別定位，支持ID識別、自動測試、自動判斷BAR條測試結束、自動下料

• 吸嘴、探針與BAR條接觸壓力可調(diào)
• 自制4探針結構，支持四線制電壓測試，電流加電回路低電感設計，支持ns級窄脈沖輸出,2個針P極，2個針N極；探針結構支持探針下壓力可控調(diào)節(jié)、支持壓力檢測

• 集成自主開發(fā)的大電流30A、窄脈沖100ns測試儀表，支持BAR條LIV、光譜、遠場測試

• 典型LIV測試曲線

• 支持MAP圖繪制，方便用戶對wafer的性能分布情況分析

• 支持NG Chip打點標記，支持簡單的芯片外觀檢查
• 支持常溫、高溫測試
• 多維度可調(diào)測量結構，滿足用戶對不同規(guī)格巴條測量需求

參數(shù)	指標
適用巴條尺寸	長度：15~30mm 寬度：1~3mm，其他BAR條寬度可定制測試臺
脈沖電流輸出	范圍0~30A，精度0.5%rdg±200mA
脈沖特性	最小脈寬：100ns，占空比：0.1%
脈沖電壓測量	范圍0~40V，精度0.5%rdg±200mV 四線制，峰值檢測
脈沖電流測量	范圍0~30A，精度0.5%rdg±200mA，峰值檢測
光功率測量	等效光電流檢測量程和精度：范圍0~5mA，0.5%rdg±25uA，峰值檢測基礎配置支持100W輸入光功率，不同功率范圍可配置不同的衰減片，支持定制
遠場發(fā)散角測試	范圍±45°
測試效率 (典型值)[1]	單顆chip單溫度測試時間： LIV+光譜（1個電流點）+ID識別+機械運動總時間<9s（不包含上下料運動時間）
波長范圍	默認PD:800-1700 nm，短波長可選配400-1100的PD
高溫臺溫控范圍	室溫+15～85℃，精度<±1℃
工作臺溫度串擾	高溫臺@85℃，常溫臺相對室溫不高于3℃
常溫臺溫控范圍	25~50℃，精度±1℃
設備尺寸	含信號燈及顯示器，1250mm×1070mm×1900mm(L×W×H)
氣源要求	正壓：不低于0.4MPa 負壓：如有，不高于-80KPa