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Sinton離線晶片少子壽命測(cè)試儀 WCT-120

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品       牌

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更新時(shí)間:2025-02-08 07:00:58瀏覽次數(shù):174次

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WCT儀器展示Sinton的測(cè)量和分析技術(shù),包括半標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)系數(shù)(QSSPC)測(cè)量方法,該方法由Sinton公司在1994年研發(fā)。載流子合復(fù)壽命經(jīng)過(guò)準(zhǔn)確校準(zhǔn)的測(cè)量方式,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶和多晶硅片。

的瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)

QSSPC技術(shù)對(duì)于監(jiān)測(cè)多晶硅硅片,摻雜劑的擴(kuò)散,和低壽命樣本是理想的技術(shù)。這種方法補(bǔ)充了瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)的運(yùn)用。瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)在這臺(tái)設(shè)備上也是標(biāo)準(zhǔn)的。

QSSPC壽命測(cè)量

QSSPC壽命測(cè)量也產(chǎn)生隱含的開(kāi)路電壓(與lllumination)曲線,這可以與an1-v曲線在太陽(yáng)能電池過(guò)程的各個(gè)階段進(jìn)行比較。

優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)

Sinton設(shè)備的分析能為每個(gè)晶片產(chǎn)生校準(zhǔn)載流子注入水平,所以你可以以一個(gè)物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測(cè)量都會(huì)顯示和記錄特定的參數(shù)。

WCT系統(tǒng)功能

單擊即可鎖定晶硅片的關(guān)鍵參數(shù),包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓

?制造過(guò)程的逐步監(jiān)測(cè)和優(yōu)化

?監(jiān)測(cè)初始材料質(zhì)量

?晶片加工過(guò)程中檢測(cè)重金屬雜質(zhì)

?評(píng)估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散

?使用隱含V測(cè)量評(píng)估過(guò)程引起的分流

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