邁浦特機械(四川)有限公司
產(chǎn)品型號
品 牌邁浦特MAIPT
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地蘇州市
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更新時間:2025-10-27 09:48:55瀏覽次數(shù):183次
聯(lián)系我時,請告知來自 儀表網(wǎng)碳化硅功率器件測試用高低溫一體機(適配碳化硅 MOSFET、IGBT、二極管等功率器件,覆蓋低溫特性測試、高溫功率循環(huán)、冷熱沖擊、長期可靠性測試,控溫范圍 - 60℃-250℃,控溫精度 ±0.1℃,溫變速率 0.5-15℃/min 可調(diào),測試艙容積 50-500L,支持 1-8 通道器件同步測試,符合 JEDEC JESD22-A104、A108 測試標準)是碳化硅功率器件。
寬溫域精準控溫:碳化硅器件需模擬 - 55℃(工業(yè)低溫環(huán)境)與 175℃(高溫運行工況),傳統(tǒng)設(shè)備溫場均勻性差(艙內(nèi)溫差超 ±2℃),導(dǎo)致器件閾值電壓測試偏差超 5%,本設(shè)備通過多維度氣流設(shè)計實現(xiàn)艙內(nèi)任意點溫差≤±1℃,器件表面溫差≤±0.5℃,測試數(shù)據(jù)重復(fù)性≥99.5%;
快速溫變與循環(huán):JEDEC 標準要求功率循環(huán)測試需完成 1000 次冷熱循環(huán)(單次循環(huán) 10min,累計 10000min),傳統(tǒng)設(shè)備單循環(huán)耗時 15min,本設(shè)備溫變速率達 15℃/min(從 - 55℃至 175℃僅需 15min),循環(huán)效率提升 33%,縮短測試周期;
低電磁干擾:碳化硅器件測試需高精度電參數(shù)測量(如漏電流、導(dǎo)通電阻),傳統(tǒng)設(shè)備電磁輻射超 50dBμV/m,干擾測試儀器(誤差超 10%),本設(shè)備采用全金屬屏蔽艙體 + EMC 濾波設(shè)計,電磁輻射≤30dBμV/m,滿足 Class A 電磁兼容要求。
1.英飛凌碳化硅 MOSFET 研發(fā)測試
2.斯達半導(dǎo)碳化硅二極管檢測
3.比亞迪半導(dǎo)體 IGBT 模塊可靠性驗證






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