深圳市康華爾電子有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)
品 牌
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所 在 地深圳市
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更新時(shí)間：2025-04-16 11:22:11瀏覽次數(shù)：66次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 儀表網(wǎng)小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振，IDT晶振集團(tuán),成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市。IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程晶體振蕩器,能滿足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級(jí)別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí). 對(duì)于尋求在壓控晶體振蕩器封裝中提供高性能和的靈活性的時(shí)鐘源的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.有源晶振,壓控晶體振蕩器,8N4DV85晶振
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | 8N4DV85晶振規(guī)格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 15.476MHz to 1300MHz | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 2.5V to 3.3 V | 請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料 |
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
|
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、工作頻率 |
| 待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
|
| VOL | 0.4 V Max. |
| |
| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
|
| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時(shí)間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
晶振使用注意事項(xiàng)
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。有源晶振,壓控晶體振蕩器,8N4DV85晶振
IDT晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念：
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用石英晶體資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少晶體振蕩器,有源晶振,石英晶振,7050晶振廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
5.在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料
6.IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。有源晶振,壓控晶體振蕩器,8N4DV85晶振
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