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IDT晶振,貼片晶振,8N4Q001晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:22:12瀏覽次數(shù)：73次

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產(chǎn)品簡介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

詳細(xì)介紹

IDT晶振,貼片晶振,8N4Q001晶振，IDT晶振集團(tuán),成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市。IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程晶體振蕩器,能滿足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級. 對于尋求在壓控晶體振蕩器封裝中提供高性能和的靈活性的時(shí)鐘源的高級系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.VCXO壓控振蕩器,7050石英晶體振蕩器,8N4Q001晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	8N4Q001晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	15.476MHz to 1300MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5V to 3.3 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

晶振使用注意事項(xiàng)

＜晶體諧振器＞

如果過大的激勵(lì)電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。

＜晶體振蕩器＞

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。

＜晶體濾波器＞

注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。

如果過大的激勵(lì)電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。VCXO壓控振蕩器,7050石英晶體振蕩器,8N4Q001晶振

IDT晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念：

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用石英晶體資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少晶體振蕩器,有源晶振,石英晶振,7050晶振廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

5.在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料

6.IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。VCXO壓控振蕩器,7050石英晶體振蕩器,8N4Q001晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器電容器

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