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IDT晶振,5070晶振,8N4S270晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:22:12瀏覽次數(shù)：70次

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深圳市康華爾電子有限公司

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產(chǎn)品簡介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

詳細(xì)介紹

IDT晶振,5070晶振,8N4S270晶振，IDT 晶振集團(tuán)是電子元件行業(yè)協(xié)會(huì) (ECIA) 的正式成員,電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)是電子元器件制造商及其供應(yīng)商分銷合作伙伴和獨(dú)立現(xiàn)場銷售代表組成的非營利性行業(yè)協(xié)會(huì).此協(xié)會(huì)的宗旨是促進(jìn)和改善電子元器件銷售的商業(yè)環(huán)境.

IDT晶振集團(tuán)開發(fā)了能夠與處理器,存儲(chǔ)器等數(shù)字系統(tǒng),其他半導(dǎo)體以及物理世界連接的半導(dǎo)體解決方案.IDT認(rèn)為作為一名者努力解決我們環(huán)境所面臨的挑戰(zhàn)以及社會(huì)需求是我們義不容辭的責(zé)任.IDT晶振作為較為出色的國際企業(yè),致力于研發(fā)生產(chǎn)銷售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等水晶元件.不斷提高生產(chǎn)技術(shù)以及開發(fā)更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被的通信、計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)業(yè)廣泛采用,在各地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)以及運(yùn)營銷售基地.

項(xiàng)目	符號(hào)	8N4S270晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	15.476MHz to 1300MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5V to 3.3 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

晶振使用注意事項(xiàng)

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

IDT 晶振集團(tuán)環(huán)?；纠砟睿?/span>

IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振。采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝。

無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)，確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問題同等關(guān)注。從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動(dòng)以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息

在晶振,石英晶振,5070晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料為開發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作。

IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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