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SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

小型貼片石英晶振主要采用了，的晶片的拋光工藝技術(shù)，是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝，使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品。

詳細(xì)介紹

SHINSUNG晶振,SVC-P-S晶振,SVC-P-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振

壓控晶振（VCXO）是通過(guò)紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。

SHINSUNG晶振-SHNSUNG Crystal成立于1999年,中文為新松晶振，在當(dāng)年12月就開(kāi)始生產(chǎn)OSC,VCXO,TCXO晶振,并于次年完成高頻100M壓控晶振的目標(biāo),是一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)時(shí)鐘晶體振蕩器,主要給用戶(hù)提供的石英晶振，石英晶體振蕩器，32.768K晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，VCXO壓控晶振，有源晶振，無(wú)源晶振，石英晶體諧振器，貼片晶振，工業(yè)設(shè)備晶振等頻率元件,數(shù)碼相機(jī)晶振廠(chǎng)家，后期逐漸往小型的Shinsung晶振方向發(fā)展。產(chǎn)品外觀具有小體積石英晶體，耐高溫,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，包括電信，微處理器，汽車(chē)，儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。應(yīng)用范圍廣的特點(diǎn),在市場(chǎng)得到廣大群眾的信賴(lài)，所生產(chǎn)SHINSUNG晶振均采用優(yōu)異環(huán)保材料,符合國(guó)際ROHS指令，減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源。

公司主旨:以顧客為中心,基于價(jià)值的管理,人類(lèi)和諧的價(jià)值，SHINSUNG在新的加工和測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供的設(shè)計(jì)，追求質(zhì)量管理，并提供持續(xù)的新產(chǎn)品，為客戶(hù)提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，以滿(mǎn)足客戶(hù)在當(dāng)前和未來(lái)的需求。

frequency range		0.75 ~ 160.0MHz	160.1 ~ 800.0MHz	REMARK
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage VDD		3.3V ± 5%
input current		100 mA max
control voltage		1.65V ± 1.65V
frequency pulling range		± 100ppm min
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
output	high level	VDD-1.025V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL)
	low level	VDD-1.62V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL)
	symmetry	55/45 @ VDD-1.3V (PECL)
	rise / fall time	0.6ns typ. / 1.5ns max ( 20% to 80% of output waveform )
Intergrate Jitter RMS		1.0ps RMS (max)	2.5ps RMS (max)	Intergrated 12KHz to 20MHz
phase noise	@10 Hz	-75	-65	offset from carrier
	@100 Hz	-95	-95
	@1 KHz	-125	-120
	@10 KHz	-140	-125
	@100 KHz	-145	-121
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 VDD (min) / disable : 0.3 VDD (max)

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熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
石英晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿(mǎn)足時(shí),的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.