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MtronPTI晶振,貼片晶振,M1252晶體

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:23:46瀏覽次數(shù)：93次

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產(chǎn)品簡介

2520mm體積的耐高溫晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.

詳細(xì)介紹

MtronPTI晶振,貼片晶振,M1252晶體,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.65mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

MtronPTI提供廣泛的精確頻率控制和數(shù)據(jù)定時(shí)解決方案,包括:射頻,微波和毫米波濾波器 - 晶體,陶瓷,諧振腔,集總元件,開關(guān),數(shù)字可調(diào)諧和低噪聲/惡劣環(huán)境石英晶體振蕩器 - 晶振,TCXO / VCXO ,烤箱和IEEE-1588鎖定.2014年,MtronPTI增加了毫米波金屬插入技術(shù)波導(dǎo)濾波器和的固態(tài)功率放大器.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.進(jìn)口石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

MtronPTI晶振	單位	M1252晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHz~54.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±10ppm ±15ppm ±20ppm ±25ppm ±30ppm ±50ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	18pF 6pF~50pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,年

存儲事項(xiàng)

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存進(jìn)口貼片高精密晶振產(chǎn)品時(shí),會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.

正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).

(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.

安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

清洗

關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個(gè)石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).

由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗.

若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).

撞擊

雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

美國MtronPTI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.

美國MtronPTI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.

MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.