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MtronPTI晶振,TCXO振蕩器,M6064高質(zhì)量晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:24:54瀏覽次數(shù)：68次

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產(chǎn)品簡介

2520mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源貼片晶振中體積較小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V 0.1V to +2.9V 0.1V 對(duì)應(yīng)IC可能) 高度：0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型,低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

詳細(xì)介紹

MtronPTI晶振,TCXO振蕩器,M6064高質(zhì)量晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.9 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源進(jìn)口石英晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).

MtronPTI集總元件（LC）濾波器允許真正的表面安裝防洗組件.焊料密封或激光焊接的周邊可防止在電路板前期和后期清洗期間或之后的性能變化,從而實(shí)現(xiàn)高電路板級(jí)初始產(chǎn)量和可靠的性能.MtronPTI晶振擁有超過150,000平方英尺的三個(gè)制造和設(shè)計(jì)設(shè)施:Yankton,SD; 奧蘭多,FL; 和印度諾伊達(dá).MtronPTI的香港子公司M-tron Industries Limited擔(dān)任采購代理,區(qū)域倉庫,質(zhì)量控制和銷售代表.

MtronPTI晶振	M6064晶振
輸出類型	Clipped Sine Wave
輸出負(fù)載	10pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+2.85V~+3.15V
頻率范圍	10.00MHz~52.00MHz
頻率穩(wěn)定度	±1.0ppm
工作溫度	0℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-55℃~+105℃
電壓卷（值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間	5 ms Max
相位抖動(dòng)（12兆赫~20兆赫）	1個(gè)PS
老化率	±3 ppm /年

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的美國SMD晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.

MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去MtronPTI晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).

美國MtronPTI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.

MtronPTI晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.

MtronPTI晶振集團(tuán)將確保其溫補(bǔ)晶體振蕩器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助和其他組織從事的環(huán)?；顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動(dòng)中遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.