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KDS晶振,有源晶振,DSO321SN晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 A以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..

詳細(xì)介紹

KDS晶振,有源晶振,DSO321SN晶振,日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶(hù)在日本國(guó)內(nèi)外提供的質(zhì)量和滿(mǎn)意程度高。所生產(chǎn)石英晶振，陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布,包括美國(guó)、英國(guó)、德國(guó)，到中國(guó)，新加坡，泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家。以“依賴(lài)”為公司方針，以客戶(hù)為導(dǎo)向，創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理，努力創(chuàng)造利潤(rùn)，履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任。日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開(kāi)發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(chēng)(KDS晶振)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.

小體積貼片型有源晶振，在生產(chǎn)時(shí)需要在凈化車(chē)間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振,貼片型有源晶振,DSO321SN晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	DSO321SN晶振	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.5625 MHz to 100 MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	0.9v,1.3V,1.5V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -20℃ to +70℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

＜晶體諧振器＞

如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書(shū)中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。

讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車(chē)載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。

＜晶體振蕩器＞

石英晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書(shū)。

＜晶體濾波器＞

注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。

如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。

＜光學(xué)產(chǎn)品＞

由于制造過(guò)程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開(kāi)封以后，請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。石英晶振,貼片型有源晶振,DSO321SN晶振

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將：

通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖。避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。

環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的壓電石英晶體元器件、3225晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).

KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。

推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).石英晶振,貼片型有源晶振,DSO321SN晶振

過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).

關(guān)鍵詞：振蕩器電容器標(biāo)準(zhǔn)

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