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KDS晶振,2520晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:25:56瀏覽次數(shù)：99次

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深圳市康華爾電子有限公司

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產(chǎn)品簡介

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

詳細(xì)介紹

KDS晶振,2520晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.

KDS晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。有源晶體振蕩器,車載級(jí)有源晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	DSO223SJ晶振	條件
輸出頻率范圍	f₀	13.5 MHz to 167 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8v,2.5v,2.8v,3.0v,3.3v,5.0V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -20℃ to +70℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

項(xiàng)目	符號(hào)	DSO323SJ晶振	條件
輸出頻率范圍	f₀	13.5 MHz to 212.5 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8v,2.5v,2.8v,3.0v,3.3v,5.0V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -20℃ to +70℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

DSO223SJ晶振尺寸圖

DSO323SJ晶振尺寸圖

＜晶體諧振器＞

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。

＜晶體振蕩器＞

石英晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。

＜晶體濾波器＞

注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。

＜光學(xué)產(chǎn)品＞

由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。有源晶體振蕩器,車載級(jí)有源晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振

通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用石英晶振資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖。KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。

KDS晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助和其他組織從事的環(huán)保活動(dòng)。

對(duì)我們的貼片型有源晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾，如何安全的使用，如何使用對(duì)環(huán)境影響較小，幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到、水平。

KDS集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故，保護(hù)公眾健康的同時(shí)，努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng)，提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。有源晶體振蕩器,車載級(jí)有源晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器電容器

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