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KDS晶振,OSC晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振

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更新時間：2025-04-16 11:25:57瀏覽次數(shù)：76次

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深圳市康華爾電子有限公司

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產品簡介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 A以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

詳細介紹

KDS晶振,OSC晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內外提供的質量和滿意程度高。所生產石英晶振，陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布,包括美國、英國、德國，到中國，新加坡，泰國和其他亞洲國家。以“依賴”為公司方針，以客戶為導向，創(chuàng)新高效的經營管理，努力創(chuàng)造利潤，履行企業(yè)社會責任。日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

小體積貼片型有源晶振，在生產時需要在凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。有源晶振,SPXO晶體振蕩器,DSO321SBM/SBN/SVN晶振

項目	符號	DSO321SBM/SBN/SVN晶振	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.7 MHz to 90 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	3.3v,5.0V	請聯(lián)系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -20℃ to +70℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

＜晶體諧振器＞

如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍以上。

＜晶體振蕩器＞

石英晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。

＜晶體濾波器＞

注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。

如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。

＜光學產品＞

由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環(huán)境中使用。有源晶振,SPXO晶體振蕩器,DSO321SBM/SBN/SVN晶振

日本大真空株式會社KDS晶振將：有源晶振,SPXO晶體振蕩器,DSO321SBM/SBN/SVN晶振

通過適當控制環(huán)境影響的物質，減少能源的使用，以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產。遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。

環(huán)境政策，在其業(yè)務活動的所有領域，從開發(fā)、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、3225晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.

KDS晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的。

推進晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務,充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務,為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.

過去KDS晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.

關鍵詞：振蕩器電容器標準

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