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微晶晶振,貼片晶振,MCSO1F晶振

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更新時間：2025-04-16 11:26:08瀏覽次數(shù)：50次

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產(chǎn)品簡介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 A以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

詳細(xì)介紹

微晶晶振,貼片晶振,MCSO1F晶振，微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時時鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領(lǐng)域的供貨商,為的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計到量產(chǎn)的支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.約550個員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石.我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對有爭議的原材料的問題上）,這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。貼片型晶體振蕩器,陶瓷面貼片有源晶振,MCSO1F晶振

項目	符號	MCSO1F晶振	條件
輸出頻率范圍	f₀	10KHz~225MHZ	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8V,2.5V,3.3V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-65℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -40℃ to +125℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±20 × 10^-6


功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	0.5μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

靜電

過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。貼片型晶體振蕩器,陶瓷面貼片有源晶振,MCSO1F晶振

微晶晶振按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.

微晶晶振建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地擴(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項目.

對員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識培訓(xùn),提高其環(huán)境意識,建立環(huán)境職責(zé),自覺改進(jìn)、預(yù)防對環(huán)境的負(fù)面影響.在對石英晶振,貼片晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）壓電石英晶體元器件的全過程中努力節(jié)能降耗,實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化.對產(chǎn)生環(huán)境影響的活動做出及時反應(yīng),并對可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動做出預(yù)防.

瑞士微晶晶振集團(tuán)減少污染物排放,對的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過設(shè)計工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價值觀,在所有的石英晶振,晶體振蕩器,石英晶體諧振器等產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用環(huán)境實(shí)用技術(shù),為可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).貼片型晶體振蕩器,陶瓷面貼片有源晶振,MCSO1F晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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