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微晶晶振,5032晶振,MCSO2E晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:26:09瀏覽次數(shù)：68次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

微晶有源晶振采用SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

詳細(xì)介紹

微晶晶振,5032晶振,MCSO2E晶振，瑞士微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體晶振(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個(gè)領(lǐng)域的供貨商,為的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.

微晶晶振,石英晶振,貼片晶振,石英晶體諧振器,壓電水晶振蕩子按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.微晶晶振建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動(dòng)所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目.5032有源晶振,壓電石英晶體振蕩器,MCSO2E晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	MCSO2E晶振	條件
輸出頻率范圍	f₀	10KHZ~100MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8V,2.5V,3.3V, 5V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-65℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -40℃ to +125℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±20 × 10^-6


功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	0.5μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

使用每種產(chǎn)品時(shí)，請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。晶體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)滿足它的規(guī)格書。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品.但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性，必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ)，安裝，運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在的條件下使用產(chǎn)品，我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用產(chǎn)品所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

超聲波清洗

（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會(huì)受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。

（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗，因?yàn)榫w可能受到破壞。

（3）請(qǐng)勿清洗開啟式產(chǎn)品

（4）對(duì)于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。

（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。

正常溫度和濕度：

溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。

(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。5032有源晶振,壓電石英晶體振蕩器,MCSO2E晶振

微晶晶振按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.微晶晶振建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動(dòng)所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目.

對(duì)員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識(shí)培訓(xùn),提高其環(huán)境意識(shí),建立環(huán)境職責(zé),自覺改進(jìn)、預(yù)防對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響.在對(duì)石英晶振,貼片晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）壓電石英晶體元器件的全過程中努力節(jié)能降耗,實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化.對(duì)產(chǎn)生環(huán)境影響的活動(dòng)做出及時(shí)反應(yīng),并對(duì)可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動(dòng)做出預(yù)防.

瑞士微晶晶振集團(tuán)減少污染物排放,對(duì)的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對(duì)話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的石英晶振,晶體振蕩器,石英晶體諧振器等產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用環(huán)境實(shí)用技術(shù),為可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).5032有源晶振,壓電石英晶體振蕩器,MCSO2E晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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