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EPSON晶振,5032晶振,EG-2121CB晶振

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產(chǎn)品簡介

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

詳細(xì)介紹

EPSON晶振,5032晶振,EG-2121CB晶振,愛普生株式會社主要從事壓電石英晶體系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件.

愛普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.貼片型聲表面濾波器,SAW振蕩器,EG-2121CB晶振

項(xiàng)目	符號	Differential LV-PECL		LVDS		條件
項(xiàng)目	符號	EG- 2121CB P	EG- 2102CB P	EG- 2121CB L	EG- 2102CB L	條件
輸出頻率范圍	f₀	100MHz to 700MHz				請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。
電源電壓	V_CC	2.5V ±0.125V	3.3V ±0.33V	2.5V ±0.125V	3.3V ±0.33V
儲存溫度	T_stg	-55°C to +125°C				裸存
工作溫度 *1	T_use	P:0°C to +70°C, R:-5°C to +85°C, S:-20°C to +70°C
頻率穩(wěn) 定度 *1	f_tol	G: ± 50 × 10^-6 ,H: ±100 × 10^-6
功耗	I_CC	60mA Max.		30mA Max.		OE=V_CC, L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
輸出禁用電流	I_dis	2mA Max.		15mA Max.		OE=GND
占空比	SYM	45% to 55%				在輸出交叉點(diǎn)
輸出電壓 (Differential LV-PECL)	V_OH	1.55V Typ.	2.35V Typ.	-		DC 特征
	V_OH	V_CC-1.025V to V_CC-0.88V		-
	V_OL	0.80V Typ.	1.60V Typ.	-
	V_OL	V_CC-1.81V to V_CC-1.62V		-
輸出電壓(LVDS)	V_OD	-		350mV Typ, 247mV to 454mV		V_OD1, V_OD2	DC 特征
	dV_OD	-		50mV Max.		dV_OD = \| V_OD1-V_OD2 \|
	V_OS	-		1.25V Typ, 1.125V to 1.375V		V_OS1, V_OS2
	dV_OS	-		150 mV Max.		dV_OS = \| V_OS1-V_OS2 \|
輸出負(fù)載條件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50Ω		-		終止于 V_CC-2.0V
輸出負(fù)載條件 (ECL) / (LVDS)	L_LVDS	-		100Ω		連接到 OUT 與 OUT 之間
輸入電壓	V_IH	70% V_CC Min.				OE 終端
輸入電壓	V_IL	30% V_CC Max.				OE 終端
上升/ 下降時(shí)間	tr / tf	400ps Max.				20% to 80% of (V_OH-V_OL). 20% to 80% Differential 輸出峰-峰電壓
振蕩啟動時(shí)間	t_str	10ms Max.				在電源電壓時(shí)，所需時(shí)間為0秒
相位抖動	t_PJ	0.23ps Max.		0.27ps Max.		100MHz ≤f₀ < 200MHz	抵消頻率: 12kHz~20MHz
		0.21ps Max.		0.23ps Max.		200MHz ≤f₀< 300MHz
		0.18ps Max.		0.19ps Max.		300MHz ≤f₀ < 400MHz
		0.16ps Max.		0.16ps Max.		400MHz ≤f₀< 500MHz
		0.14ps Max.		0.14ps Max.		500MHz ≤f₀< 600MHz
		0.10ps Max.		0.10ps Max.		600MHz ≤f₀≤ 700MHz
頻率老化 *2	f_aging	± 10 × 10^-6 / year Max.				+25°C,年,V_CC=2.5V,3.3V

關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題，但這僅僅是對單個(gè)石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。

由于晶體的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請盡可能避免超聲波清洗。

若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。

撞擊

雖然愛普生時(shí)鐘模塊晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊，以防萬一還是要檢查特性后再使用。

裝載

＜SMD產(chǎn)品＞

貼片晶振支持自動貼裝，但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測試，確認(rèn)其對特性沒有影響。在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使用。

＜引線類型產(chǎn)品＞

當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。

保管

保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化，請?jiān)跊]有直射陽光，不發(fā)生結(jié)露的場所保管。貼片型聲表面濾波器,SAW振蕩器,EG-2121CB晶振

愛普生株式會社5032晶振通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有性的環(huán)?；顒?把降低環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客。

創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動。

EPSON石英晶體振蕩器盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù)，避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生，比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物。集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收，最小化有害原料的使用。貼片型聲表面濾波器,SAW振蕩器,EG-2121CB晶振

建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測程序，利用管理手段，應(yīng)用節(jié)約成本的技術(shù)，持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn)。我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化。

關(guān)鍵詞：振蕩器超聲波清洗機(jī)

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