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IDT晶振,OSC晶振,XUH晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:27:33瀏覽次數(shù)：75次

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深圳市康華爾電子有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

詳細(xì)介紹

IDT晶振,OSC晶振,XUH晶振，IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時(shí)、存儲(chǔ)接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無(wú)線電源及智能傳感器方面的市場(chǎng)導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域混合信號(hào)完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售場(chǎng)所和經(jīng)銷合作伙伴遍及,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.

IDT晶振作為較為出色的國(guó)際企業(yè),致力于研發(fā)生產(chǎn)銷售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶振,貼片差分晶振等水晶元件.不斷提高生產(chǎn)技術(shù)以及開發(fā)更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被的通信、計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)業(yè)廣泛采用,在各地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)以及運(yùn)營(yíng)銷售基地.石英晶體振蕩器,貼片型HCMOS輸出振蕩器,XUH晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	XUH晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.016MHz to 167MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8V,2.5V,3.3 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±20 × 10^-6
		L: ±50 × 10^-6
		T: ±100 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

晶振使用注意事項(xiàng)

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。石英晶體振蕩器,貼片型HCMOS輸出振蕩器,XUH晶振

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

IDT 晶振集團(tuán)環(huán)?；纠砟睿?/span>

IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振。采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝。

無(wú)論公司在世界何處,其經(jīng)營(yíng)都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)，確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問題同等關(guān)注。從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動(dòng)以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息

在晶振,石英晶振,5032晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料為開發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作。

IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等。石英晶體振蕩器,貼片型HCMOS輸出振蕩器,XUH晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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