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行業(yè)產(chǎn)品

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深圳市康華爾電子有限公司


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IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地深圳市

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更新時間:2025-04-16 11:27:34瀏覽次數(shù):70次

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經(jīng)營模式:其他

商鋪產(chǎn)品:2072條

所在地區(qū):

產(chǎn)品簡介

壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛。.

詳細介紹

IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振,IDT晶振集團,成立于1980年公司發(fā)展在各地均設有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市。IDT晶振集團 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程晶體振蕩器,能滿足幾乎任何應用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動時鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動,并可提供多種頻率、性能級別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級. 對于尋求在壓控晶體振蕩器封裝中提供高性能和的靈活性的時鐘源的高級系統(tǒng)設計者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.石英晶體振蕩器,可編程VCXO晶體振蕩器,8N3QV01晶振

項目

符號

8N3QV01晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

15.476MHz to 1300MHz

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

2.5V to 3.3 V

請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55℃ to +125℃

裸存

工作溫度

T_use

G: -40℃ to +85℃

請聯(lián)系我們查看更多資料

H: -40℃ to +105℃

J: -40℃ to +125℃

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 ℃, 初年度,年

晶振使用注意事項

<晶體諧振器>

如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。

<晶體振蕩器>

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。

<晶體濾波器>

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路。

如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。

IDT 晶振集團采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響    有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振

開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時又滿足可能功效標準的石英晶振,貼片晶振

采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝

在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料

為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作

無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標準

確保業(yè)務合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注

從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動

以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息

IDT 晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.

集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的的環(huán)境標準.

IDT 晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

IDT 晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.

環(huán)境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標.

關(guān)鍵詞:振蕩器 電容器 標準
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