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Bomar晶振,B1825-BABS3T6N-20.000000晶振,差分晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

差分晶振有不同的輸出信號(hào),LV-PECL,LVDS,HCSL,是差分晶振通用的輸出信號(hào).一般為六腳晶振,能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性,具有高性能,低功耗,低噪聲,低抖動(dòng),低損耗等特點(diǎn).被廣泛用于通訊設(shè)備,機(jī)頂盒,光端機(jī),安防設(shè)備及各種頻率控制設(shè)備上.

詳細(xì)介紹

Bomar晶振,B1825-BABS3T6N-20.000000晶振,差分晶振 小型貼片石英晶振主要采用了，的晶片的拋光工藝技術(shù)，是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝，使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品。
Bomar晶振公司成立于1963年,是一家為商業(yè)和雙向無(wú)線電行業(yè)提供石英晶體的制造商.為了滿足嚴(yán)格的FCC規(guī)范,業(yè)務(wù)性質(zhì)要求在寬頻率范圍內(nèi)具有嚴(yán)格的公差和高穩(wěn)定性晶體.快速生產(chǎn)的需求對(duì)我們不斷增長(zhǎng)的客戶群非常重要.我們的許多客戶都是當(dāng)?shù)?/span>,州和聯(lián)邦和監(jiān)督機(jī)構(gòu).Bomar很快成為這個(gè)市場(chǎng)的供應(yīng)商,但在產(chǎn)品質(zhì)量,快速周轉(zhuǎn)時(shí)間和的客戶服務(wù)方面始終得到認(rèn)可.

1988年,博馬爾開(kāi)始建立OEM客戶群.來(lái)自電信,計(jì)算機(jī),醫(yī)療,安全,商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的客戶不僅開(kāi)始使用晶體,還開(kāi)始使用時(shí)鐘晶體振蕩器,石英晶體振蕩器，VCXO壓控晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，石英晶體諧振器等.為了滿足產(chǎn)品要求的這一變化,我們重新設(shè)計(jì)了我們的制造工藝,并增加了新的制造設(shè)備,以更小的封裝生產(chǎn)晶體和振蕩器,具有更高的頻率,低相位噪聲和低抖動(dòng).隨著這些變化和的測(cè)試設(shè)備的增加,Bomar的國(guó)內(nèi)制造工廠繼續(xù)為頻率控制產(chǎn)品提供與1963年相同的快速周轉(zhuǎn),高可靠性,緊密公差和穩(wěn)定性.

在90年代初的強(qiáng)勁增長(zhǎng)期間,Bomar與少數(shù)精選的亞洲工廠建立了緊密的合作關(guān)系,以生產(chǎn)符合Bomar規(guī)格的產(chǎn)品.這些關(guān)系是在Bomar對(duì)其流程和產(chǎn)品進(jìn)行認(rèn)證后才建立的.今天,Bomar擁有大量晶體,時(shí)鐘晶體振蕩器,石英晶體振蕩器，VCXO壓控晶振和TCXO溫補(bǔ)晶振,無(wú)源晶振的低成本資源,延續(xù)了我們50年來(lái)致力于提供高性能頻率控制解決方案的承諾,這些解決方案在價(jià)格,質(zhì)量和客戶支持方面達(dá)到或超過(guò)客戶的期望.

晶體(XTAL)-正確切割和安裝石英晶體成為高質(zhì)量的定時(shí)裝置,通過(guò)向晶體附近或晶體上的電極施加電壓,可以使其在電場(chǎng)中彎曲.這種性質(zhì)稱為壓電性.當(dāng)場(chǎng)被移除時(shí),石英將在其返回其先前形狀時(shí)產(chǎn)生電場(chǎng),這可以產(chǎn)生電壓.石英晶體的行為類似于由電感器,電容器和電阻器組成的電路,具有精確的諧振頻率.

Frequency Range		10 - 250 MHz - CMOS
		10 - 1500 MHz - LVDS
		10 - 1500 MHz - LVPECL
Supply Voltage		2.5Vdc or 3.3Vdc
Current Consumption		45mA max. - CMOS
		45mA max. - LVDS
		60mA max. - LVPECL
Temperature Range	Operating	0℃ to +70°C. - Standard
		-40℃ to +85°C. - Optional
	Storage	-55℃ to +125°C.
Frequency Stability		±10ppm to ±100ppm
Pull Range		±50ppm to ±100ppm min.
Control Voltage		(2.5V) 1.25V±1.25V
		(3.3) 1.65V±1.65V
Output Load		15pF - CMOS
		100 ohms - LVDS
		50 ohms - LVPECL
Symmetry (Duty Cycle)		45% to 55%
Output rise and fall time (tr/tf)		CMOS - 3nS max.,LVDS & LVPECL-0.6nS max.
Pin 2 Tri-State	Output enable voltage	No connection
(option)	Output enable voltage	70% Vdd min.
	Output disable voltage	30% Vdd max.
Start up time		3mS max
Aging		±3ppm/1st year max.
Phase Jitter RMS (12 KHz ~ 20MHz)		1.5pS max.

Bomar晶振,B1825-BABS3T6N-20.000000晶振,差分晶振

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞SMD晶振產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指貼片晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。