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NDK晶振,貼片晶振,NV7050S[ ]晶振

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產(chǎn)品簡介

VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動(dòng)調(diào)整頻率，使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍，壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用。

詳細(xì)介紹

NDK晶振,貼片晶振,NV7050S[ ]晶振，日本電波工業(yè)株式NDK晶振會(huì)社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶振、有源晶振、壓電陶瓷諧振器、石英晶振器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家，以“通過對(duì)客戶的服務(wù)，為社會(huì)繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立。

VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動(dòng)調(diào)整頻率，使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍，壓控晶振（VCXO）壓控晶體振蕩器基本解決方案,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用。貼片型石英晶體振蕩器,VCXO晶體振蕩器,NV7050S[ ]晶振

型名		NV7050S[ ]
頻率選擇功能		Single (無選擇功能) Dual (從2個(gè)頻率中選擇) Quad (從4個(gè)頻率中選擇) Any Rate (可根據(jù)I2C設(shè)定任意頻率)
額定頻率范圍 [f] (MHz)		15 ≤ f ≤ 2100
額定頻率范圍 [f] (MHz)		15 ≤ f ≤ 2100	15 ≤ f ≤ 2100	15 ≤ f ≤ 2100	15 ≤ f ≤ 700	15 ≤ f ≤ 200
尺寸大小 (L×W×H : mm)		7.0×5.0×1.6
輸出規(guī)格		LVPECL	LVDS	CML	HCSL	CMOS
消耗電流 (mA)		Max. 95	Max. 85	Max. 80	Max. 100	Max. 85
輸出負(fù)載條件		50Ω (V_CC-2.0V)	100Ω	50Ω (V_CC)	50Ω	15pF
電源電壓 [V_CC] (V)		+1.8V±5% +2.5V±5% +3.3V±10%
Enable/Disable功能		Enable Low Enable High None
頻率可變范圍		從Min. ±50×10^-6 to Min. ±250×10^-6范圍內(nèi)選擇
工作溫度范圍(*1) (°C)		-40 to +85
儲(chǔ)存溫度范圍 (°C)		-55 to +125
頻率變化極性		Positive or Negative
綜合頻率允許偏差 (*2)		窄偏差品		通常品
綜合頻率允許偏差 (*2)		Max. ±10×10^-6 Max. ±20×10^-6		Max. ±50×10^-6
相位抖動(dòng) (fs) (12kHz～20MHz)		窄偏差品		通常品
	(V_CC=+3.3V, LVPECL) 156.25MHz, VC=150×10^-6	Typ. 190		Typ. 151
	(V_CC=+3.3V, LVPECL) 622.08MHz, VC=100×10^-6	Typ. 197		Typ. 156
	(V_CC=+3.3V, LVPECL) 2096MHz, VC=100×10^-6	Typ. 161		Typ. 130
	(V_CC=+3.3V, LVPECL) 156.25MHz, VC=100×10^-6	Typ. 183		Typ. 156

各項(xiàng)注意事項(xiàng)：

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶體振蕩器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。

6：靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。貼片型石英晶體振蕩器,VCXO晶體振蕩器,NV7050S[ ]晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說的LCA指的是“生命周期評(píng)估”，它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開采階段，包括產(chǎn)品的制造階段，銷售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過用戶廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國際標(biāo)準(zhǔn)。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振由于制造普通有源晶體振蕩器（PXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等涉及高溫處理，所以需要大量電力的過程。通過使產(chǎn)品更加緊湊，可以增加每個(gè)工序引入的零件數(shù)量。設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量。因此，每個(gè)產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量，然后抑制二氧化碳排放。與這項(xiàng)改革，減少功耗設(shè)備也實(shí)施。為了快速響應(yīng)我們的客戶需求，我們整合了我們的基本技術(shù)，設(shè)計(jì)技術(shù)，生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù)，成功地減少和減輕產(chǎn)品使用的技術(shù)。

NDK晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”，在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性，并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”。為取得社會(huì)的信任，為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化，集團(tuán)還開展了各種各樣的活動(dòng)。貼片型石英晶體振蕩器,VCXO晶體振蕩器,NV7050S[ ]晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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