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KDS晶振,溫補晶振,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振

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更新時間：2025-04-16 11:31:38瀏覽次數(shù)：64次

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深圳市康華爾電子有限公司

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產(chǎn)品簡介

小尺寸的TCXO溫補晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術(shù)，晶片膠點的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使晶片的點膠的精度在0.02mm之內(nèi)，確保TCXO晶體產(chǎn)品精度，穩(wěn)定性能良好發(fā)揮功能。

詳細(xì)介紹

KDS晶振,溫補晶振,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振,日本株式會社大真空KDS晶振集團設(shè)立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當(dāng)時注冊資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.有源晶體,TCXO晶體振蕩器,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對環(huán)境友好。

DSA211SDT晶振晶振規(guī)格表

型號		DSA211SDT晶振 (TCXO)
輸出頻率范圍		12.288~52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機時電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動時間		2.0ms max.

DSB211SDT晶振規(guī)格表

型號		DSB211SDT晶振（VC-TCXO）
輸出頻率范圍		12.288~52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如32.768K晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進口晶振已受過沖擊請勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進口貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。有源晶體,TCXO晶體振蕩器,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用高精度晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

靜電

過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

KDS晶振集團將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助和其他組織從事的環(huán)?；顒印?在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。

環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、石英晶體諧振器、2016晶振、壓電陶瓷諧振器，大真空集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.

KDS晶振集團認(rèn)識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。

KDS集團將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故，保護公眾健康的同時，努力改進我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動，提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。有源晶體,TCXO晶體振蕩器,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振

推進晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、溫補晶振等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻.

KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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