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ACT晶振,SMD晶振,531-SMX-4晶體

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更新時間：2025-04-16 11:33:02瀏覽次數(shù)：81次

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產(chǎn)品簡介

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

詳細(xì)介紹

ACT晶振,SMD晶振,531-SMX-4晶體,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

自1986年以來,ACT - 以前的高級晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)合作伙伴.我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精密晶振技術(shù)的界限.這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能,確的振蕩器技術(shù).

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.貼片石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

ACT晶振規(guī)格	單位	531-SMX-4晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8.000MHz~54.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8.0pF~30.0pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,年

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致壓電石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口無源晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用耐高溫晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

靜電

過高的靜電可能會損壞石英晶體振蕩器,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

英國ACT晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.

英國ACT晶振將：通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.

ACT晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去ACT晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).

ACT晶振集團(tuán)將:不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對自然資源的保持.

關(guān)鍵詞：振蕩器標(biāo)準(zhǔn)

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