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NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SJ晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

詳細(xì)介紹

NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SJ晶振，具有于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無(wú)鉛產(chǎn)品.滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SJ晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	5-40MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

一般來(lái)說(shuō)，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。NZ3225SJ晶振,有源晶體,低電壓晶振

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SJ晶振

（3）振蕩期間測(cè)量R的值。

（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。

如果石英晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話(huà)，我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他貼片晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的有源晶振。

使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動(dòng)后端電路。NZ3225SJ晶振,有源晶體,低電壓晶振

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問(wèn)題不能得到解決。系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行，因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”，它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的日產(chǎn)進(jìn)口有源晶振制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段，包括產(chǎn)品的制造階段，銷(xiāo)售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶(hù)使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶(hù)和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過(guò)用戶(hù)廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振由于制造普通有源晶體振蕩器（PXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等涉及高溫處理，所以需要大量電力的過(guò)程。通過(guò)使產(chǎn)品更加緊湊，可以增加每個(gè)工序引入的零件數(shù)量。MHZ石英振蕩器設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量。因此，每個(gè)產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量，然后抑制二氧化碳排放。與這項(xiàng)改革，減少功耗設(shè)備也實(shí)施。為了快速響應(yīng)我們的客戶(hù)需求，3225石英振蕩器我們整合了我們的基本技術(shù)，設(shè)計(jì)技術(shù)，生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù)，成功地減少和減輕產(chǎn)品使用的技術(shù)。NZ3225SJ晶振,有源晶體,低電壓晶振

NDK晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”，在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性，并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”。為取得社會(huì)的信任，為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化，集團(tuán)還開(kāi)展了各種各樣的活動(dòng)。

NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SJ晶振

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn) 振蕩器

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