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T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動(dòng)無線電晶振,格林雷石英晶振

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詳細(xì)介紹

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T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動(dòng)無線電晶振,格林雷石英晶振 特點(diǎn)：

•200克拉(Si)總電離劑量

•堅(jiān)固耐用，密封，耐輻射34.8 mm x 20.2 mm 24-PIN DIP封裝

•頻率:2.5至120MHz

•寬溫度范圍-55°C至+125°C

•SEL和SET自由至100 MeV cm2/mg

•超低加速靈敏度< 0.07 ppb/g

•3.3 VDC和5 VDC供電

•CMOS或正弦波輸出

•MIL-PRF-55310 B級(jí)或S級(jí)篩選

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動(dòng)無線電晶振,格林雷石英晶振 參數(shù)圖

規(guī)格參數(shù)	數(shù)值	條件
頻率	38MHz	+25°C
頻率穩(wěn)定度	±5ppm	-55°C to +95°C
工作溫度	-55°C to +95°C
老化	± 1ppm max	1st year
頻率與電壓	± 0.1ppm max	For a 2% change
電子頻率控制	± 10ppm	EFC = 0 to VDD, Positive slope 50kΩ input Z
電壓	3.3V(VDD）
輸入電流	35mA	CMOS
輸入電流	35mA	CMOS
負(fù)載	50?	CMOS
負(fù)載	50?	CMOS
相位噪聲(靜態(tài))10Hz	-90dBc/Hz
相位噪聲(靜態(tài))10Hz	-90dBc/Hz
相位噪聲(靜態(tài))100Hz	-120dBc/Hz
相位噪聲(靜態(tài))1K	-140dBc/Hz
相位噪聲(靜態(tài))10KHz	-150dBc/Hz
相位噪聲(靜態(tài))100KHz	-155dBc/Hz
儲(chǔ)存溫度	-65°C to+130°C