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泰藝晶振,貼片晶振,OC-M晶振

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更新時(shí)間：2025-04-16 11:38:58瀏覽次數(shù)：105次

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  石英晶體振蕩器

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深圳市康華爾電子有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 A以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

詳細(xì)介紹

泰藝晶振,貼片晶振,OC-M晶振,7050mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不*都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。.泰藝晶振,貼片晶振,OC-M晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	2.048-200MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。智能手機(jī)晶振,石英晶體振蕩器,OC-M晶振

輸出負(fù)載

建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的有源晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。智能手機(jī)晶振,石英晶體振蕩器,OC-M晶振

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

泰藝晶振,貼片晶振,OC-M晶振

泰藝石英晶振公司自公司成立以來(lái),秉持對(duì)環(huán)境保護(hù)承諾之宣言：『還給后代一個(gè)干凈的地球』,所有活動(dòng)應(yīng)遵從以下政策：

1. 小體積3225貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器自設(shè)計(jì)階段至成品完成后之服務(wù)即應(yīng)考察該產(chǎn)品對(duì)環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會(huì)造成污染之原物料及制程；對(duì)污染之防治應(yīng)從根源解決問(wèn)題,以《不產(chǎn)生、不使用》為指導(dǎo)原則.

2.若無(wú)法避免需產(chǎn)生或使用時(shí),應(yīng)管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性7050貼片晶振之追蹤管制、改進(jìn)并制定預(yù)防方案或是降低污染量,水電等消耗性（能）資源使用,應(yīng)從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達(dá)成節(jié)約能源之目標(biāo).

3.公司所有活動(dòng)皆遵循低電流有源晶振環(huán)保法規(guī)及承諾,作好綠色設(shè)計(jì)與生產(chǎn)以及污染預(yù)防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對(duì)整體環(huán)境沖擊的影響,實(shí)施相關(guān)預(yù)防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實(shí)與維護(hù)環(huán)境保護(hù),響應(yīng)環(huán)保運(yùn)動(dòng).智能手機(jī)晶振,石英晶體振蕩器,OC-M晶振

4.藉由環(huán)境稽核確認(rèn)環(huán)境改善績(jī)效,使公司所有活動(dòng)過(guò)程均能達(dá)成環(huán)境目標(biāo)及標(biāo)的,并期望透過(guò)全體員工共同努力,貢獻(xiàn)愛(ài)護(hù)地球的一份心力.泰藝晶振,貼片晶振,OC-M晶振

關(guān)鍵詞：振蕩器電源線