深圳市康華爾電子有限公司
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產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地深圳市
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更新時間:2025-04-16 11:40:16瀏覽次數(shù):118次
聯(lián)系我時,請告知來自 儀表網(wǎng)小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.進(jìn)口貼片晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2400011晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對有源晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
| 項(xiàng)目 | 符號 | 晶振規(guī)格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 1-60MHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.08-1.32V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -20℃ to +70℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料 |
| H: -40℃ to +85℃ | |||
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| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
|
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、工作頻率 |
| 待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
| |
| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
百利通亞陶晶振編碼列表:
| Manufacturer Part Number原廠代碼 | Manufacturer品牌 | Series型號 | Frequency 頻率 | Frequency Stability頻率穩(wěn)定度 | Operating Temperature 工作溫度 | Package / Case包裝/封裝 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 |
| FJ2400011 | Diodes Incorporated | FJ | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 4-SMD, No Lead | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039" (1.00mm) |
| FJ2400011 | Diodes Incorporated | FJ | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 4-SMD, No Lead | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039" (1.00mm) |
| FJ2400011 | Diodes Incorporated | FJ | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 4-SMD, No Lead | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039" (1.00mm) |
| FJ2400002 | Diodes Incorporated | FJ | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 4-SMD, No Lead | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039" (1.00mm) |
| FJ2400002 | Diodes Incorporated | FJ | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 4-SMD, No Lead | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039" (1.00mm) |
| FJ2400002 | Diodes Incorporated | FJ | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 4-SMD, No Lead | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039" (1.00mm) |
百利通亞陶晶振產(chǎn)品列表:
在使用百利通亞陶晶振時應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選。
百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2400011晶振
PERICOM百利通亞陶晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>
PERICOM百利通亞陶晶振公司的目標(biāo)是保證壓電石英晶體元器件繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在TCXO晶體振蕩器,壓控晶體振蕩器,貼片晶振生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性.
PERICOM百利通亞陶晶振建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測程序,利用管理手段,應(yīng)用節(jié)約成本的技術(shù),持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高四腳貼片晶振,貼片晶振自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).
百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2400011晶振
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