二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤(pán)裝,可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
富士晶振,貼片晶振,FSX-8L晶振，富士晶振公司股份有限公司成立于1994年1月,原工作中水晶設(shè)備企業(yè)的營(yíng)業(yè)將移交到富士com。主要以石英晶振，電子元件，三端穩(wěn)壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開(kāi)發(fā)，在于2013年開(kāi)始處理,軟件的開(kāi)發(fā),今后在有線、無(wú)線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo)。今后更能迅速滿足市場(chǎng)的需求。目前針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。富士晶振,陶瓷面貼片晶振,FSX-8L晶振
小尺寸的貼片石英晶振，目前生產(chǎn)上采用了高技術(shù)的封裝模式，光刻石英晶片技術(shù)，并且通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不*都會(huì)使晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。
| 富士晶振規(guī)格 | 單位 | FSX-8L晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 8~100MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 激勵(lì)功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l | ±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用) | +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,/ |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 16pF | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,年 |
石英晶振各項(xiàng)注意事項(xiàng)：
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊 是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射 將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境 請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑 請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）富士晶振,陶瓷面貼片晶振,FSX-8L晶振
5：鹵化合物 請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
6：靜電 過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
富士晶振公司環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對(duì)策
1.通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。
2.通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖。避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。
3.遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo)，同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng)，并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。
4.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人，通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi)。
5.富士晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
6.致力于環(huán)境保護(hù)，包括預(yù)防污染。在產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中，努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù)。在業(yè)務(wù)活動(dòng)中，努力節(jié)約資源并節(jié)省能源，致力于減少?gòu)U棄物和再生資源的回收利用。富士晶振,陶瓷面貼片晶振,FSX-8L晶振
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